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K2521-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: K2521-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2521-01-VB

K2521-01-VB概述

    K2521-01-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2521-01-VB 是一款采用TrenchFET®技术的N沟道200V MOSFET,主要用于电源管理领域中的初级侧开关。其主要功能是实现高效的电力转换和控制。这款MOSFET特别适用于PWM(脉宽调制)优化的电路,能够在高温环境下稳定运行,并符合RoHS标准。

    技术参数


    - 电压参数
    - VDS (漏源电压): 200V
    - VGS (栅源电压): ±20V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C): 25A
    - 脉冲漏极电流 (IMD): 70A
    - 持续源电流 (二极管导通): 12A
    - 热参数
    - 最大功耗 (TA = 25°C): 126W
    - 结到环境热阻 (RthJA): 15°C/W
    - 结到壳体热阻 (RthJC): 0.85°C/W
    - 其他参数
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.130Ω (VGS = 10V, ID = 3A)
    - 正向跨导 (gfs): 35S (VDS = 15V, ID = 3A)
    - 输入电容 (Ciss): 1800pF (VGS = 0V, VDS = 25V)

    产品特点和优势


    K2521-01-VB 的主要优势包括:
    - 高温稳定性:可在高达175°C的结温下工作,保证了在极端温度环境下的可靠性。
    - PWM优化设计:特别适合于需要高效率转换的PWM应用。
    - 可靠性测试:100% Rg测试确保产品的一致性和质量。
    - 绿色环保:符合RoHS标准,无铅无卤素,适用于环保要求严格的应用场景。

    应用案例和使用建议


    K2521-01-VB 在多种应用中表现出色,例如电源适配器、DC-DC转换器和电机驱动器。实际使用时应注意以下几点:
    - 确保栅极驱动电压在安全范围内,避免过高电压导致损坏。
    - 使用适当的散热措施,以维持MOSFET的长期稳定运行。
    - 在PWM模式下工作时,要合理选择频率和占空比,以保持较高的转换效率。

    兼容性和支持


    K2521-01-VB 支持标准的TO-220封装,可以方便地安装在现有的PCB上。制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括在线文档和应用工程师的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高温环境下MOSFET过热。
    - 解决方案: 使用散热器或加装风扇以增强散热效果。
    2. 问题: 开关过程中出现过电压现象。
    - 解决方案: 在电路中增加适当的缓冲电路来吸收过电压。
    3. 问题: 电路工作不稳定。
    - 解决方案: 检查电路连接,确保所有电气参数在允许范围内。

    总结和推荐


    K2521-01-VB 是一款高性能的N沟道200V MOSFET,具备出色的高温稳定性和可靠性,非常适合用于需要高效能转换的PWM应用。其强大的技术支持和完善的文档使其成为理想的电源管理解决方案。总体而言,强烈推荐使用K2521-01-VB,在确保产品可靠性和高效性的前提下满足各种应用需求。

K2521-01-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 30A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2521-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2521-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2521-01-VB K2521-01-VB数据手册

K2521-01-VB封装设计

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