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SUP85N10-10L-GE3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: SUP85N10-10L-GE3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SUP85N10-10L-GE3-VB

SUP85N10-10L-GE3-VB概述

    N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本手册描述了一款由VBsemi生产的N-Channel 100-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用TrenchFET®技术,能够在高达175°C的极端环境下正常工作,符合欧盟RoHS指令。这款MOSFET具备高电流能力和低导通电阻,适用于各种高压应用,如电源转换、电机控制和汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 ( \( TJ = 150^\circ C \) ): 100 A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 75 A
    - 雪崩能量 \( E{AS} \): 280 mJ
    - 最大功率耗散 ( \( TA = 25^\circ C \) ): 250 W
    - 工作结温和存储温度范围 \( TJ, T{STG} \): -55°C 至 175°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \): 2-4 V
    - 栅体泄漏 \( I{GSS} \): ±100 nA
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 µA
    - 导通电流 \( I{D(on)} \): 120 A
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 V, ID = 30 A \): 0.009 Ω
    - \( V{GS} = 4.5 V, ID = 20 A \): 0.020 Ω
    - 前向跨导 \( g{fs} \): 25 S
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 4700 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 665 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 265 pF
    - 总栅电荷 \( Qg \): 105-160 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 17 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 23 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:能在极端高温(175°C)环境下稳定运行,适合于高温环境下的应用。
    - 高性能:具有较低的导通电阻(\( R{DS(on)} \)),确保高效能电力传输。
    - 环保设计:符合RoHS和无卤素标准,满足严格的环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于开关电源、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域。
    - 使用建议:
    - 确保栅极驱动电压不超过额定值(±20 V)以避免损坏。
    - 使用适当的散热措施来管理功耗和提高长期可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 本产品可与多种电源管理系统和其他电路板组件无缝集成。
    - VBsemi提供了详尽的技术支持和售后服务,以帮助用户解决可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确选择栅极驱动电压?
    - 解决方案:确保栅极驱动电压在-10V到+20V之间,以保证正常工作并避免损坏。
    - 问题:在高温环境下工作时需要注意什么?
    - 解决方案:在高温环境下工作时,需要采取有效的散热措施,例如加装散热片,确保结温不超过175°C。

    7. 总结和推荐


    总的来说,这款N-Channel 100-V MOSFET凭借其高可靠性、高性能和环保特性,在多种高压应用场合中表现出色。我们强烈推荐该产品用于那些需要高效、稳定电力传输的应用场合。通过适当的应用和维护,这款MOSFET将能够提供卓越的性能和长久的使用寿命。

SUP85N10-10L-GE3-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

SUP85N10-10L-GE3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SUP85N10-10L-GE3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SUP85N10-10L-GE3-VB SUP85N10-10L-GE3-VB数据手册

SUP85N10-10L-GE3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
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