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W214-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块,电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动化模块、LED 照明模块。
供应商型号: W214-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) W214-VB

W214-VB概述

    W214 双通道20V N沟道MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    W214 是由VBsemi公司生产的双通道20V N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种电源管理和控制应用。它符合RoHS指令2002/95/EC和无卤素标准IEC 61249-2-21,确保了在环保和安全方面的高标准要求。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(最大) | 20 | V |
    | 栅源电压(最大) | ± 12 | V |
    | 持续漏电流(最大) | 7.1 | A |
    | 脉冲漏电流(最大) | 40 | A |
    | 连续源电流(二极管导通) | 1.7 | A |
    | 最大功率耗散(Ta=25°C) | 2 | W |
    | 工作温度范围 | -55至150 | °C |
    静态参数
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 栅阈值电压(典型) | 0.6至1.5 | V |
    | 栅体泄漏(最大) | ± 100 | nA |
    | 零栅电压漏电流(最大) | 5 | μA |
    | 导通状态漏电流(最大) | 20 | A |
    | 导通状态电阻(典型) | 0.019(VGS=4.5V) | Ω |
    动态参数
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 总栅电荷(典型) | 9.5 | nC |
    | 栅源电荷(典型) | 1.5 | nC |
    | 栅漏电荷(典型) | 2.5 | nC |
    | 栅阻抗(典型) | 2.7 | Ω |
    | 开启延迟时间(典型) | 10 | ns |
    | 上升时间(典型) | 15 | ns |
    | 关闭延迟时间(典型) | 38 | ns |
    | 下降时间(典型) | 25 | ns |
    | 源漏二极管反向恢复时间(典型) | 26 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准,保证产品的环保性。
    - TrenchFET®技术:提供高效的开关性能和低导通电阻。
    - 100% Rg测试:确保产品质量的一致性和可靠性。
    - 符合RoHS标准:满足欧盟RoHS指令的要求。

    4. 应用案例和使用建议


    W214 MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、照明控制等领域。例如,在电源转换器中,它可以用于提高系统的能效并减少发热。在实际应用中,建议进行热管理设计以确保MOSFET在高负载下的可靠运行。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,尤其是在高负载情况下。
    - 使用合适的栅极驱动器以减少栅极电荷损耗。
    - 注意电路布局,减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    W214 MOSFET采用SO-8封装,易于焊接在FR4板上,且兼容现有的表面贴装工艺。VBsemi公司提供了详细的技术支持,包括样品申请、设计指南和技术文档,帮助客户快速集成到系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 改进散热设计,使用热垫或散热片。 |
    | 开关频率过高 | 优化电路设计,降低开关频率。 |
    | 电磁干扰问题 | 添加屏蔽措施,改进电路布局。 |

    7. 总结和推荐


    W214 MOSFET凭借其低导通电阻、高效能和环保特性,是一款优秀的电源管理器件。其在多种应用中表现出色,特别是在需要高能效和稳定性的场合。总体来说,我们强烈推荐W214 MOSFET作为现代电子系统中的首选MOSFET。
    如有任何疑问或需要技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

W214-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 8A
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,22mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W214-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

W214-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 W214-VB W214-VB数据手册

W214-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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