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UK3019-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: UK3019-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UK3019-VB

UK3019-VB概述


    产品简介


    基本介绍
    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET是一种高效的功率场效应晶体管(Power MOSFET),其设计采用了TrenchFET®技术,专为低电压操作和高速开关性能进行了优化。这类器件广泛应用于逻辑电平接口(如TTL/CMOS)、驱动电路(例如继电器、电磁铁、灯泡、显示设备等)以及电池供电系统等领域。
    主要功能
    - 支持逻辑电平直接接口。
    - 高速响应,适合高频应用。
    - 极低的导通电阻,减少能耗。
    应用领域
    - 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS。
    - 各种驱动器:如继电器、电磁铁、照明设备、显示屏等。
    - 便携式或电池供电的便携式电子设备。
    - 固态继电器。

    技术参数


    以下是该N-Channel 60-V MOSFET的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):60V
    - 典型阈值电压 (VGS(th)):1V 至 2.5V
    - 连续漏极电流 (ID):250mA(在25°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):800mA
    - 导通电阻 (RDS(on)):2.8Ω(在VGS=10V时)
    - 输入电容 (Ciss):25pF(在VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz下)
    - 总栅极电荷 (Qg):0.4至0.6nC
    - 开关时间:开启时间为20ns,关闭时间为30ns
    其他绝对最大额定值包括:
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大耗散功率:0.3W(在25°C时)

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低导通电阻:RDS(on)=2.8Ω(典型值),适合高效率的应用场景。
    2. 快速开关速度:开启时间20ns,关闭时间30ns,适合高频工作环境。
    3. 低栅极电荷:仅0.4至0.6nC,有效降低驱动功率需求。
    4. RoHS合规:完全符合RoHS标准,环保且安全。
    5. 高可靠性:采用TrenchFET技术,提升长期稳定性。
    市场竞争力
    - 由于其出色的低功耗和快速响应能力,这种MOSFET特别适用于需要高能效和小尺寸的应用场合。
    - 在便携式设备和高性能数字电路中具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    1. 继电器驱动:用于控制电动机或其他高功率负载。
    2. 电池管理:在便携式设备中作为电源管理的核心组件。
    3. LED驱动:由于其低导通电阻和高效率,适合驱动LED阵列。
    使用建议
    - 在高频率应用中,确保电路设计考虑MOSFET的快速开关特性以避免EMI问题。
    - 在低温环境下使用时,注意温度对性能的影响,建议增加散热片。
    - 在高电流情况下,需额外注意热管理以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该器件与主流逻辑电平接口兼容,如TTL/CMOS。
    - 其封装形式为SOT-23,适合表面贴装工艺。
    支持和服务
    制造商提供详细的技术文档和支持,包括在线论坛和技术支持热线(400-655-8788)。此外,还提供免费样品申请服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关延迟过大 | 检查电路设计,优化栅极电阻和旁路电容。 |
    | 过热导致性能下降 | 增加散热片或改进PCB布局以改善热传导。 |
    | 驱动信号不稳定 | 使用屏蔽线缆或加强滤波器设计以减少干扰。 |

    总结和推荐


    综合评估
    这款N-Channel 60-V MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关速度和卓越的能效表现,在逻辑电平接口、驱动电路以及便携式设备等领域表现出色。它不仅满足了现代电子设计的需求,而且在可靠性、环境友好性和性价比方面均具有明显优势。
    推荐结论
    强烈推荐给需要高效、稳定且环保的功率控制解决方案的工程师和技术人员。对于涉及高频开关、低功耗设计的项目,此产品无疑是最佳选择之一。

UK3019-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 300mA
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UK3019-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UK3019-VB数据手册

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UK3019-VB封装设计

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