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K3377-Z-E2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: K3377-Z-E2-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3377-Z-E2-VB

K3377-Z-E2-VB概述

    K3377-Z-E2 N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3377-Z-E2 是一款采用 TrenchFET® 技术的高性能 N-Channel MOSFET,适用于多种电子设备。其额定电压为 60V,能够在高达 175°C 的结温下正常工作,具有低导通电阻和高电流承载能力,特别适合于电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    - 电压参数:VDS(最大值)= 60V
    - 漏极电流:
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):23A
    - 脉冲漏极电流:100A
    - 单脉冲能量(Duty Cycle ≤ 1%):20mJ
    - 导通电阻:
    - 在 VGS = 10V 时:0.025Ω
    - 在 VGS = 4.5V 时:0.030Ω
    - 热阻抗:
    - 最大结点到环境热阻(RthJA):18°C/W(稳态 40°C/W)
    - 最大结点到外壳热阻(RthJC):3.2°C/W
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续源电流:23A
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 175°C
    - 电气特性:
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0V 至 3.0V
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):60V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1μA

    产品特点和优势


    K3377-Z-E2 具有以下独特功能和优势:
    - 高可靠性:能够在高温环境下稳定运行。
    - 低导通电阻:在多种电压条件下提供非常低的导通电阻,有助于减少功耗。
    - 高性能:具备快速开关能力和低电容特性,适合高速切换应用。
    - 环境友好:符合 RoHS 和无卤素标准,适用于环保要求较高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:K3377-Z-E2 可广泛应用于各种电源管理电路,如开关电源、电机驱动和逆变器等。例如,在直流-直流转换器中,它能够有效地降低损耗并提高系统效率。
    - 使用建议:在设计应用电路时,应考虑 MOSFET 的热管理。特别是在高功率应用中,确保良好的散热措施,以避免过热损坏。此外,根据不同的工作条件选择合适的栅极驱动电压。

    兼容性和支持


    K3377-Z-E2 与标准 TO-252 封装兼容,可直接替换市场上同类封装的其他 MOSFET。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:通常,为了确保低导通电阻,建议使用高于阈值电压的驱动电压。例如,对于 VGS(th) 为 1.0V 到 3.0V 的 MOSFET,可以使用 10V 或更高电压的驱动。
    2. 问题:如何测量漏极电流?
    - 解决方案:可以通过测量 MOSFET 的压降(VDS)来间接计算漏极电流。利用欧姆定律(V = IR),如果已知 VDS 和 rDS(on),则可以直接计算出漏极电流。

    总结和推荐


    K3377-Z-E2 N-Channel MOSFET 是一款高性能的功率 MOSFET,具备出色的导通特性和温度稳定性。它非常适合用于电源管理和电机控制等应用。总体而言,这款产品在众多同类产品中表现出色,值得推荐。无论是设计工程师还是终端用户,都可以信赖这款产品在各种应用场景下的可靠性和性能表现。

K3377-Z-E2-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 45A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3377-Z-E2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3377-Z-E2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3377-Z-E2-VB K3377-Z-E2-VB数据手册

K3377-Z-E2-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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