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K2043LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K2043LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2043LS-VB

K2043LS-VB概述

    K2043LS-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2043LS-VB 是一款适用于高电压应用的 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要功能是在电力转换系统中作为开关元件,具有低导通电阻和较高的栅极电荷特性。该产品适用于工业控制、电源管理、电机驱动等多个领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 4.0 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1000 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 45 | - | pF |
    | 转移电容 | Crss | - | 5 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 11 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 2.3 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 5.2 | - | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 1 | 4 | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 20 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 34 | - | ns |
    | 下降时间 | tf | - | 18 | - | ns |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:K2043LS-VB 的低栅极电荷减少了驱动要求,降低了系统的复杂性。
    2. 增强的耐用性:提高了栅极、雪崩和动态 dV/dt 的耐受性,增加了产品的可靠性。
    3. 全面的电容和雪崩特性:电容和雪崩电压及电流都经过全面表征,提供了更精确的数据支持。
    4. 环保标准:符合 RoHS 指令 2002/95/EC,满足欧盟对电子产品的环保要求。

    应用案例和使用建议


    K2043LS-VB 在多种应用场景中表现优异,例如:
    - 工业控制:用于电机驱动和电源管理。
    - 通信设备:用于高效率电源转换。
    - 消费电子:应用于各类便携式充电设备。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中正确连接栅极和源极,以避免损坏。
    - 配合合适的驱动电路,确保快速且可靠的开关操作。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,防止过热。

    兼容性和支持


    K2043LS-VB 与同类的电子元器件和设备高度兼容,可用于多种电路设计。厂商提供详细的用户手册和技术支持,确保用户能够高效地使用该产品。如果遇到任何技术问题,可以通过厂商的服务热线(400-655-8788)进行咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免 MOSFET 过热?
    - 答:通过有效的散热设计,如使用散热片或风扇,保持良好的空气流通,避免过载运行。
    2. 问:如何提高开关速度?
    - 答:确保栅极驱动信号的上升和下降时间足够短,减少栅极电容的影响。
    3. 问:MOSFET 是否适用于高频应用?
    - 答:由于其低栅极电荷和快速开关时间,K2043LS-VB 在高频应用中表现出色。但在高频应用中,需特别注意电路的寄生电感和电容。

    总结和推荐


    K2043LS-VB 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET,具有出色的耐用性和低功耗特性。它适用于各种高电压电力转换系统,能够提供稳定的开关性能和可靠的工作条件。无论是工业控制还是消费电子领域,这款产品都是一个不错的选择。因此,我们强烈推荐使用 K2043LS-VB 以满足您的需求。

K2043LS-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2043LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2043LS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2043LS-VB K2043LS-VB数据手册

K2043LS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.7275
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