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UTT50N05L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: UTT50N05L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT50N05L-TN3-R-VB

UTT50N05L-TN3-R-VB概述


    产品简介


    UTT50N05L-TN3-R 是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,具有出色的热稳定性和高击穿电压(60V)。该器件采用TrenchFET®技术制造,适用于广泛的电力应用,包括电源管理和电动机控制等领域。通过优化的热设计和先进的制造工艺,该器件能够在极端条件下提供可靠的性能。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源击穿电压:60V
    - 栅阈值电压:123mV(典型值)
    - 零栅电压漏极电流:1µA(最大值)
    - 电气特性
    - 最大持续漏极电流(TJ = 175°C):100A
    - 最大脉冲漏极电流(PWM脉冲宽度 ≤ 300µs,占空比 ≤ 2%):100A
    - 最大反向恢复时间:100ns
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):136W
    - 热阻(RthJA):15°C/W(最大值),0.85°C/W(典型值)
    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    - 高耐温性:该器件能够承受高达175°C的结温,适合于高温环境下运行,提高了可靠性。
    - 低导通电阻:在各种工作条件下的导通电阻(RDS(on))非常低,确保了高效的能源转换。
    - 高可靠性:采用先进的TrenchFET®技术,增强了产品的长期稳定性,特别是在恶劣环境中。
    - 快速开关速度:得益于低输入和输出电容,实现了高速的开关操作,减少了开关损耗。

    应用案例和使用建议


    UTT50N05L-TN3-R 适用于多种电力电子应用,如电动工具、不间断电源(UPS)、工业电机驱动系统等。为了实现最佳性能,以下是一些建议:
    - 电路布局:确保良好的散热设计,尽量减少PCB上的走线长度,以降低寄生电感和杂散电容的影响。
    - 驱动电路:使用适当的栅极驱动电路,以避免开关瞬间产生的过电压和振荡现象。

    兼容性和支持


    该器件采用TO-252封装,适用于表面贴装技术(SMT),易于集成到现有的电路板设计中。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和文档资料,包括原理图库、参考设计以及故障排除指南,以便用户能够充分利用该器件的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下出现性能下降。
    - 解决办法:确认工作温度不超过175°C,必要时增加散热片或采取其他冷却措施。
    - 问题2:开启和关闭速度慢。
    - 解决办法:检查驱动电路,确保足够的栅极驱动电压和正确的栅极电阻设置。
    - 问题3:出现电磁干扰。
    - 解决办法:采用屏蔽措施,减小电源线路和信号线之间的耦合效应。

    总结和推荐


    综上所述,UTT50N05L-TN3-R 是一款具有出色性能和广泛应用潜力的N沟道MOSFET。其高耐温性、低导通电阻以及高速开关能力使其成为电力电子应用的理想选择。我们强烈推荐这款器件用于需要高效能和高可靠性的场合。对于需要详细技术支持和文档的客户,VBsemi公司提供了全面的支持和服务。

UTT50N05L-TN3-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT50N05L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT50N05L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT50N05L-TN3-R-VB UTT50N05L-TN3-R-VB数据手册

UTT50N05L-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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起订量: 15 增量: 2500
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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