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K3312-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K3312-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3312-VB

K3312-VB概述

    K3312-VB 功率MOSFET 产品概述

    产品简介


    K3312-VB 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。这款 MOSFET 以其低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低栅极电荷(Qg)等特点而著称,广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(包括高强度放电灯和荧光灯镇流器)等领域。此外,它也适用于工业控制应用。

    技术参数


    - 最大击穿电压 (VDS): 650 V @ TJ max.
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10 V 时为 2.0 mΩ (典型值)
    - 最大连续漏电流 (ID): 4 A (在 TC = 100 °C 时)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 受最大结温限制
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97 mJ
    - 工作温度范围: TJ, Tstg: -55°C 至 +150°C
    - 输入电容 (Ciss): 最大值未提供
    - 输出电容 (Coss): 最大值未提供
    - 反向转移电容 (Crss): 最大值未提供
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值 10 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 最大值 2 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 最大值 5 nC
    - 最大功率耗散 (PD): 受热阻影响
    - 热阻抗 (RthJA): 63 °C/W (最大值)

    产品特点和优势


    1. 低损耗: 由于具有非常低的 RDS(on) 和 Qg,K3312-VB 能够显著降低系统的损耗,提高效率。
    2. 快速开关: 低输入电容(Ciss)和快速的开关时间有助于提高系统的整体性能。
    3. 高可靠性: 通过严格的雪崩能量测试,K3312-VB 能够承受较大的瞬态应力,适用于恶劣的工作环境。
    4. 良好的热性能: 高效的散热设计使其在高温环境下也能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: K3312-VB 可用于提升系统效率和稳定性,减少功耗。
    - 照明应用: 在高强度放电灯和荧光灯镇流器中,K3312-VB 的高效率特性有助于延长灯具寿命并减少能源消耗。
    - 工业应用: 适用于工业自动化和控制领域,尤其是在需要高可靠性和耐温性的场合。
    使用建议:
    - 为了充分发挥 K3312-VB 的性能,建议采用优化的 PCB 布局,以降低寄生电感和电容的影响。
    - 在选择驱动器时,应考虑其输出能力和驱动速度,以确保 MOSFET 的快速开关。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K3312-VB 与标准 TO-220 FULLPAK 封装兼容,易于安装和更换。
    - 技术支持: 制造商提供详细的技术文档和客户支持,帮助解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: K3312-VB 在高温下能否稳定工作?
    - A: 是的,K3312-VB 能在 -55°C 至 +150°C 的宽广温度范围内稳定工作。建议在高温环境中采用有效的散热措施,以确保长期稳定性。

    - Q: 如何确保 K3312-VB 的栅极不会过压损坏?
    - A: 在使用时,必须严格控制栅极电压不超过 ±30 V。可以添加栅极保护电路,如齐纳二极管,来防止电压过高。

    总结和推荐


    K3312-VB 功率 MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别适合于高效率和高可靠性的应用需求。其卓越的导通电阻、低损耗特性和宽广的工作温度范围使其成为众多工业和消费电子领域的理想选择。我们强烈推荐使用 K3312-VB,无论是用于新建项目还是替换现有系统中的组件。

K3312-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3312-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3312-VB数据手册

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K3312-VB封装设计

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