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UT3N06L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: UT3N06L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3N06L-AE3-R-VB

UT3N06L-AE3-R-VB概述

    电子元器件产品手册 —— UT3N06L-AE3-R

    产品简介


    UT3N06L-AE3-R是一款来自台湾VBsemi公司的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件被广泛应用于电池开关和直流-直流转换器等领域。它的主要功能是实现电源的高效开关控制,在众多电力电子设备中发挥着关键作用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | 4.0 | - | A |
    | 门源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 门源泄漏电流 | IGSS | - | ±100 | - | nA |
    | 漏源体二极管反向恢复时间 | trr | - | 15 | 23 | ns |
    | 漏源电阻 | RDS(on) | 0.075 @ 10 V | - | 0.086 @ 4.5 V | Ω |
    其他参数如下:
    - 零门源电压漏极电流(IDSS):1 μA @ 60 V
    - 正向转移电导(gfs):5 S
    - 输入电容(Ciss):180 pF
    - 输出电容(Coss):22 pF
    - 反向传输电容(Crss):13 pF

    产品特点和优势


    UT3N06L-AE3-R具有以下特点和优势:
    - 采用先进的TrenchFET®工艺制造,确保高性能和可靠性。
    - 完全经过Rg和UIS测试,保证产品质量。
    - 温度范围宽,可在-55°C到150°C之间正常工作。
    - 支持高脉冲电流,最大脉冲电流可达12 A。
    - 绿色环保设计,符合IEC 61249-2-21标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该器件可以用于电池开关、直流-直流转换器等场景。
    - 使用建议:为了提高设备效率,建议将该器件安装在具有良好散热条件的电路板上,并确保操作温度不超过其绝对最大值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他电子元器件兼容使用,适用于多种电路设计。
    - 支持信息:提供官方技术支持热线(400-655-8788),并提供全面的产品文档和软件工具。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:漏源电阻过高。
    - 解决方法:检查接线是否正确,确认驱动电压是否达到要求。
    - 问题2:器件发热严重。
    - 解决方法:增加散热措施,如加装散热片或改善空气流通。

    总结和推荐


    UT3N06L-AE3-R凭借其高可靠性、良好的性能和广泛的应用场景,是一款值得推荐的MOSFET产品。适用于需要高效、稳定电力管理的各种电子设备。总体来看,这款产品在同类器件中表现优异,建议优先选择。

UT3N06L-AE3-R-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@10V,96mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3N06L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3N06L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3N06L-AE3-R-VB UT3N06L-AE3-R-VB数据手册

UT3N06L-AE3-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
库存: 400000
起订量: 35 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:35
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型号 价格(含增值税)
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