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UPA1873GR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款共源极N+N MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达6.6A,采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。
供应商型号: UPA1873GR-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1873GR-VB

UPA1873GR-VB概述

    UPA1873GR 双N沟道25V MOSFET技术手册

    产品简介


    UPA1873GR 是一款由台湾VBsemi公司生产的双N沟道25V(漏源极电压)MOSFET。该产品采用先进的TrenchFET技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力的特点,广泛应用于电源管理、电池充电器、电机驱动等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 漏源电压(VDS) | 25V |
    | 最大栅源电压(VGS) | ±12V |
    | 连续漏电流(ID) | 6.6A (TA=25°C), 5.2A (TA=70°C) |
    | 脉冲漏电流(IDM) | 30A |
    | 最大功率耗散(PD) | 1.5W (TA=25°C), 1.0W (TA=70°C) |
    | 热阻(RthJA) | 72°C/W (最大值) |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55°C 至 150°C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):在VGS = 4.5V时,RDS(on)为0.022Ω;在VGS = 2.5V时,RDS(on)为0.032Ω,显著减少了导通损耗。
    2. TrenchFET技术:采用了先进的TrenchFET技术,使得器件尺寸更小,热阻更低,提高了整体性能。
    3. 环保材料:提供无卤素选项,符合RoHS标准,满足日益严格的环保要求。
    4. 高可靠性:具备优异的热管理和低栅泄漏电流特性,确保长时间运行的稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:适用于各类电源转换电路,如AC-DC转换器和DC-DC转换器。
    - 电池充电器:适合用于手机、笔记本电脑等设备的充电电路。
    - 电机驱动:可用于电动工具和工业自动化中的电机控制。
    使用建议:
    1. 在设计电路时,应充分考虑散热问题,以避免因过热导致的器件损坏。
    2. 使用时需注意漏源电压不得超过25V,以确保安全运行。
    3. 若在高温环境下使用,应适当降低最大电流,以防止功率耗散过高。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UPA1873GR 与多数标准PCB制造材料兼容,可直接焊接于FR4基板上。
    - 支持与维护:台湾VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可通过官方热线400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件温度过高 | 确保良好的散热设计,增加散热片或风扇。 |
    | 开关损耗较大 | 调整电路参数,减少开关频率或优化驱动信号。 |
    | 器件失效 | 检查电路设计和操作条件是否符合规范。 |

    总结和推荐


    UPA1873GR 是一款高性能、高可靠性的MOSFET,适用于多种应用场景。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。然而,在使用过程中需要注意散热问题,并严格按照规定的操作条件使用。总体而言,我们强烈推荐这款产品给需要高性能、高可靠性MOSFET的应用项目。

UPA1873GR-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV~2V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
Vgs-栅源极电压 15V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20/22mΩ@4.5V,24/27mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4.8A,4.8A
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1873GR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1873GR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1873GR-VB UPA1873GR-VB数据手册

UPA1873GR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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