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SSG4575-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN+P沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8可用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备领域。
供应商型号: SSG4575-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SSG4575-VB

SSG4575-VB概述

    # SSG4575 电子元器件技术手册

    产品简介


    SSG4575 是一款高性能的 N 和 P 沟道增强型 60V(漏极-源极)MOSFET。其核心采用 TrenchFET® 技术,能够在功耗、开关速度及热稳定性方面实现卓越性能。此产品广泛应用于冷阴极荧光灯逆变器(CCFL Inverter)等领域。

    技术参数


    以下是 SSG4575 的关键技术和性能参数:
    静态特性
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 60 | V |
    | 阈值电压(典型值) | VGS(th) | 1 | 3 V |
    | 通态电阻 | RDS(on) | 0.026 0.055 | Ω |
    | 漏极电流(连续) | ID | 4.3 25 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 11 15 | A |
    动态特性
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 10 | 15 | 30 | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | 20 | 30 | 55 | ns |
    | 导通电阻温度系数 | ΔRDS(on)/TJ | 55 -50 | mV/°C|
    封装特性
    - 封装类型:SO-8
    - 尺寸规格:
    - 长度:4.80~5.00 mm
    - 宽度:3.80~4.00 mm
    - 引脚间距:1.27 mm ± 0.05 mm

    产品特点和优势


    1. 环保设计:符合 IEC 61249-2-21 标准,采用无卤材料制造。
    2. 高可靠性:通过 100% Rg 和 UIS 测试。
    3. 低导通电阻:RDS(on) 可低至 0.026 Ω,适用于高效功率转换。
    4. 快速开关:关断时间为纳秒级,适合高频应用。
    5. 宽温度范围:工作温度范围为 -55 至 150°C,适应恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    SSG4575 在冷阴极荧光灯逆变器(CCFL Inverter)中有广泛应用,用于驱动荧光灯管。此外,还可用于电池管理系统、电源适配器和其他需要高效能功率转换的应用场景。
    使用建议
    1. 热管理:由于导通电阻较低,器件会产生一定热量,建议安装散热片以提高散热效果。
    2. 驱动电路设计:使用合适的门极驱动电阻(Rg),确保器件能够快速开启和关闭。
    3. 布线优化:在 PCB 设计中,保持电源线和信号线分离,减少寄生效应。

    兼容性和支持


    SSG4575 具有广泛的兼容性,可以与其他主流 SO-8 封装的 MOSFET 器件互换。VBsemi 提供完善的售后服务和技术支持,客户可通过服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 器件过热 | 添加散热片并优化 PCB 热设计 |
    | 开关速度较慢 | 减小门极电阻 Rg 或选择更低门极电荷器件 |
    | 启动后无法正常工作 | 检查门极电压是否达到阈值 |

    总结和推荐


    SSG4575 以其高性能、高可靠性和绿色环保特性,在冷阴极荧光灯逆变器领域具有显著优势。其高效的开关性能和较低的导通电阻使其成为高效率功率转换的理想选择。推荐用于需要高效能和低功耗的应用场景。如需进一步优化,建议与 VBsemi 客服联系,获取专业支持。
    联系邮箱:support@VBsemi.com
    服务热线:400-655-8788

SSG4575-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.9V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 N+P沟道
Id-连续漏极电流 6.5A,5A
Vds-漏源极击穿电压 ±60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SSG4575-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SSG4575-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SSG4575-VB SSG4575-VB数据手册

SSG4575-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 1.987
4000+ ¥ 1.9005
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交货地:
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