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K1623-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。
供应商型号: K1623-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1623-VB

K1623-VB概述

    # 高性能N-Channel MOSFET技术手册解读

    产品简介


    本产品是一款N-Channel(n沟道)增强型100-V耐压(漏源电压)功率场效应晶体管(Power MOSFET),采用先进的TrenchFET®技术制造。它具有高可靠性、低导通电阻及高热稳定性的特点,适用于各类高频开关电源、电机驱动控制及功率管理等领域。本产品能够承受高温运行环境(最高可达175°C),并提供多种封装选择以满足不同设计需求。

    技术参数


    以下是本产品的关键技术和性能指标:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 100 | - | - | V |
    | 导通电阻(典型值) | rDS(on) | - | 0.030 | - | Ω |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 40 | - | A |
    | 最大耗散功率 | PD | - | 107 | - | W |
    | 结温范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    | 热阻抗(结至环境) | RthJA | 40 | - | - | °C/W |
    其他重要特性还包括:零栅极电压漏极电流IDSS低至1 µA,转导能力高达10 S,输入电容低至2600 pF,峰值反向恢复电流为58 A,且反向恢复电荷仅为0.15 µC。

    产品特点和优势


    1. 卓越的低导通电阻:典型值为0.030 Ω(在VGS=10 V时),可以显著降低功耗,提升效率。
    2. 高可靠性:最大工作温度达到175°C,适合恶劣的工作环境。
    3. 快速开关性能:关断延迟时间td(off)低至30 ns,非常适合高频应用。
    4. 先进的封装技术:采用TO-252封装,具备优秀的热传导性能和机械稳定性。
    5. 符合RoHS标准:绿色环保,适合现代电子产品设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频逆变器:利用其快速开关特性和低导通电阻,提高逆变器效率。
    - 电机驱动电路:低栅极电荷和低导通电阻使驱动更高效。
    - 通信电源模块:优异的高温工作能力和低功耗设计,适应高功率密度需求。
    使用建议
    1. 设计电路时,确保VDS不超过额定值100 V,并根据负载条件合理设置栅极驱动电压。
    2. 考虑散热设计,必要时增加外部散热片以减少结温上升。
    3. 对于大电流应用,建议选择较大的PCB焊盘面积以提升导热效率。

    兼容性和支持


    该MOSFET产品与主流电子设计工具兼容,如Altium Designer、KiCAD等。制造商提供全面的技术支持和完善的售后服务,包括样品申请、技术支持热线(400-655-8788)以及定期的产品更新和技术文档发布。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间发热异常 | 检查栅极驱动电路是否正确,避免过大的驱动电压。 |
    | 高频工作下出现异常噪音 | 增加滤波电容以减少高频噪声干扰。 |
    | 工作温度过高 | 添加外部散热片,优化PCB布局以改善散热效果。 |

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 100-V MOSFET凭借其出色的低导通电阻、高可靠性以及快速开关特性,在工业控制、通信电源和消费电子等多个领域展现出强大的竞争力。我们强烈推荐此产品用于需要高效能、高可靠性的应用场合。
    如果您正在寻找一款性能卓越、易于集成的MOSFET器件,那么这款产品无疑是理想的选择!

K1623-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 40A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1623-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1623-VB数据手册

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K1623-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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