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KD2305A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: KD2305A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD2305A-VB

KD2305A-VB概述


    产品简介


    本产品为一款P沟道20-V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率开关电源转换和其他功率控制应用。其主要功能是在电路中提供高效电流控制能力,尤其适用于负载开关、PA(功率放大器)开关和DC/DC转换器等应用。该MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,可广泛应用于通信设备、工业控制、汽车电子等领域。

    技术参数


    | 参数 | 标称值 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | - 20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 (TC = 25°C) | - | - | -4.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | - | 18 | A |
    | 连续源极-漏极二极管电流 (TC = 25°C) | - | - | -2.1 | A |
    | 最大功耗 (TC = 25°C) | - | - | 2.5 | W |
    | 热阻(最大结到环境) | - | 75 | 100 | °C/W |
    | 阈值电压 (VGS(th)) | -0.5 | - | 1.5 | V |
    | 门极-源极阈值电压温度系数 | - | 2.9 | - | mV/°C |
    | 门极-源极泄漏电流 (IGSS) | - | - | ±100 | nA |
    | 开启状态漏极电流 (ID(on)) | - | - | -18 | A |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.035 | - | 0.061 | Ω |
    | 输入电容 (Ciss) | - | - | 835 | pF |
    | 输出电容 (Coss) | - | - | 180 | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | - | - | 155 | pF |
    | 总门极电荷 (Qg) | - | - | 10 | nC |
    | 门极-源极电荷 (Qgs) | - | - | 1.7 | nC |
    | 门极-漏极电荷 (Qgd) | - | - | 3.4 | nC |
    | 门极电阻 (Rg) | - | - | 4.4 | Ω |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:该MOSFET在不同电压下的导通电阻较低(0.035Ω 至 0.061Ω),能够实现高效的电流控制。
    2. 高温稳定性:该器件在极端环境下仍能保持稳定性能,结温范围为-55°C至150°C。
    3. 高可靠性:采用TrenchFET®工艺,100% Rg测试保证了产品的高可靠性和长寿命。
    4. 环保材料:符合RoHS指令和无卤素标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:在直流电源系统中用于高效地控制负载的开关状态。
    - PA开关:在射频功率放大器中用于快速切换。
    - DC/DC转换器:用于电压调节和稳压。
    使用建议
    - 散热设计:考虑到该MOSFET的热阻较高,建议设计良好的散热系统以避免过热。
    - 驱动电路:使用适当的驱动电路以确保可靠的开启和关断。
    - 电流限制:建议添加电流限制保护电路以防止过流损坏。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用TO-236(SOT-23)封装,适合表面贴装。产品具备良好的兼容性,可以轻松集成到各种电路设计中。制造商提供了详尽的技术支持和售后保障,包括在线文档、应用指南和技术支持热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热,导致性能下降。
    - 解决办法:增加散热片或风扇来改善散热。

    2. 问题:电路响应缓慢。
    - 解决办法:优化驱动电路,减少门极电荷(Qg)。
    3. 问题:电流超过额定值,导致损坏。
    - 解决办法:添加外部保护电路,如限流电阻。

    总结和推荐


    综上所述,这款P沟道20-V MOSFET在设计和制造过程中充分考虑了高效率、高温稳定性和可靠性,适用于多种高性能应用场合。其出色的导通电阻、低温系数和无卤素材料使其成为众多行业首选的优质电子元器件。建议在负载开关、PA开关和DC/DC转换器等应用场景中使用该产品。如果您需要更高性能或特殊要求的应用,建议进一步咨询制造商获取更多技术支持。

KD2305A-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD2305A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD2305A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD2305A-VB KD2305A-VB数据手册

KD2305A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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