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2SK2059L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: 2SK2059L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2059L-VB

2SK2059L-VB概述


    产品简介


    2SK2059L N-Channel MOSFET
    2SK2059L是一款来自VBsemi公司的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具备低栅极电荷、高耐受能力和优化的输出特性,适用于电源转换、电机控制和照明系统等多种应用场景。其独特的设计使其成为替代传统MOSFET的理想选择,特别适合需要高性能和高可靠性的电力电子系统。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 25 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | - | 4.0 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 417 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 45 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 5 | - | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | - | 11 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 2.3 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 5.2 | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 14 | - | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 20 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 34 | - | ns |
    | 下降时间 | tf | - | 18 | - | ns |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷: 使得驱动要求简化,减少了整体系统的复杂度。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性: 增强了MOSFET在极端条件下的稳定性。
    3. 完全表征的电容和雪崩电压及电流: 提供了详细的技术数据,方便用户进行准确的设计。
    4. 符合RoHS指令: 保证了环保标准,适用于广泛的应用场景。

    应用案例和使用建议


    2SK2059L在多种应用中表现出色,包括电源转换、电机控制和照明系统。例如,在一个开关电源设计中,该MOSFET可以作为主要的开关元件,提供高效的能量转换。用户在使用时应注意栅极驱动电路的设计,以确保MOSFET在高频开关操作中的可靠性。
    使用建议:
    - 确保驱动电路具有适当的驱动能力,以减少栅极振铃和噪声。
    - 选择合适的散热方式,如采用散热片或风扇,以确保MOSFET的工作温度在安全范围内。

    兼容性和支持


    2SK2059L与大多数现有的电路板设计兼容,可以轻松替换其他品牌的产品。制造商提供详细的技术支持文档和客户服务,以帮助用户进行设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 栅极驱动信号不稳定 | 检查驱动电路连接和阻抗匹配 |
    | MOSFET过热 | 增加散热措施,降低环境温度 |
    | 开关损耗过高 | 优化电路布局,选择更低导通电阻的MOSFET |

    总结和推荐


    2SK2059L是一款高度可靠的N沟道功率MOSFET,具备出色的性能和多项优势。它非常适合于电源转换、电机控制和照明系统等应用。尽管价格可能略高于其他MOSFET,但其高性能和低功耗特性使其成为最佳选择。强烈推荐此产品给需要高性能和高可靠性的电力电子系统设计师。
    如果您有任何进一步的问题或需要更多信息,请随时联系我们的客服热线:400-655-8788。

2SK2059L-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2059L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2059L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2059L-VB 2SK2059L-VB数据手册

2SK2059L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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型号 价格(含增值税)
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