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2SK3568-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: 2SK3568-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3568-VB

2SK3568-VB概述


    产品简介


    2SK3568-VB是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有550V的漏源电压(VDS)。它主要用于消费电子、服务器及电信电源供应、工业焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和开关模式电源(SMPS)等领域。这款MOSFET以其低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和快速开关性能而著称,特别适用于需要高效率和可靠性的应用场景。

    技术参数


    以下是2SK3568-VB的主要技术参数:
    - 漏源电压(VDS):550 V
    - 导通电阻(RDS(on)):25°C时为0.26 Ω(VGS=10 V)
    - 最大总栅极电荷(Qg):150 nC
    - 输入电容(Ciss):3094 pF
    - 输出电容(Coss):152 pF
    - 栅极-漏极电容(Crss):13 pF
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):18 A(TC = 25 °C,VGS = 10 V)
    - 脉冲漏极电流(IDM):56 A
    - 最大功耗(PD):60 W
    - 最大结温范围(TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    2SK3568-VB具备多项独特的技术和设计优势:
    - 低面积特定导通电阻:有助于提高效率和减少损耗。
    - 低输入电容:减少了寄生损耗,适合高频操作。
    - 降低容性开关损耗:提高了系统的整体能效。
    - 高体二极管坚固性:增强在逆变器等应用中的可靠性。
    - 雪崩能量额定值(UIS):确保在极端工作条件下依然安全可靠。
    这些特性使其在消费电子、服务器电源、工业设备和其他电力控制应用中表现出色,具有较强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    2SK3568-VB广泛应用于各类需要高效转换和控制的应用场景,如显示设备、电源供应系统、工业焊接设备等。例如,在电视显示器中,它可以作为高效的开关元件用于电源管理,从而提高图像质量和减少功耗。
    对于使用建议,用户应考虑以下几点:
    - 正确选择工作温度:确保在规定的温度范围内运行以避免热损坏。
    - 合理布局电路板:减少寄生电感和电容的影响,以确保最佳性能。
    - 适当选择外部元件:特别是栅极电阻(Rg),它会影响开关速度和损耗。

    兼容性和支持


    2SK3568-VB设计上与其他标准电子元件具有良好的兼容性,可以在多种电路中无缝集成。VBsemi公司为其提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的数据手册和在线技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何确定合适的栅极电阻?
    A: 可参考数据手册中的建议值,并根据具体应用进行调整。一般情况下,较小的栅极电阻可以加快开关速度,但会增加损耗。
    2. Q: MOSFET在高温环境下是否稳定?
    A: 是的,2SK3568-VB设计允许在高达150°C的结温下工作。但在高温度下,需要考虑散热措施以保持其正常运行。

    总结和推荐


    2SK3568-VB凭借其出色的性能和多功能性,成为许多电力控制和转换应用的理想选择。其优秀的低电阻、低损耗特性和可靠的温度稳定性使其在市场上极具竞争力。我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效率和稳定性的应用场景中。

2SK3568-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3568-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3568-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3568-VB 2SK3568-VB数据手册

2SK3568-VB封装设计

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