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K1540L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: K1540L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1540L-VB

K1540L-VB概述

    电子元器件产品技术手册:VBsemi K1540L MOSFET



    产品简介



    VBsemi K1540L 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET(场效应晶体管)。该产品适用于多种高要求的应用场景,包括服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及照明(如高强度放电灯HID和荧光灯照明)等工业应用。VBsemi K1540L 凭借其低损耗、高效率的特点,在众多领域展现出卓越性能。


    技术参数



    以下是 VBsemi K1540L 的主要技术参数:

    | 参数 | 值 | 单位 |
    |--------------------------|------------|--------|
    | 最大漏源电压 \( V_{DS} \) | 650 | V |
    | 最大栅源电压 \( V_{GS} \) | ±30 | V |
    | 连续漏电流(\( T_J = 150 °C \)) | 8 | A |
    | 脉冲漏电流 \( I_{DM} \) | 12 | A |
    | 额定单脉冲雪崩能量 \( E_{AS} \) | 97 | mJ |
    | 最大耗散功率 \( P_D \) | 237 | W |
    | 工作结温范围 \( T_J \) | -55 至 +150 | °C |
    | 反向恢复时间 \( t_{rr} \) | 190 | ns |
    | 有效反向恢复电荷 \( Q_{rr} \) | 2.3 | μC |


    产品特点和优势



    - 低损耗特性:该 MOSFET 具有极低的导通电阻 \( R_{DS(on)} \),为0.7 Ω(在25°C条件下),这使得在各种工作条件下都具有出色的效率。
    - 快速开关:极低的门极电荷 \( Q_g \) 和总门极电荷 \( Q_g \),可减少开关损耗,加快开关速度。
    - 低输入电容:具有低输入电容 \( C_{iss} \),有助于提升高频工作的稳定性。
    - 可靠性和耐用性:具备高耐压能力,且具备高雪崩能量承受能力,保证了产品的长期稳定运行。
    - 适用广泛:适合于多种高能效应用,适用于不同电压等级和温度环境。


    应用案例和使用建议



    - 服务器和电信电源供应:由于其高效的转换能力和低导通损耗,适用于高密度数据中心和电信基站中的电源管理模块。
    - 照明应用:特别是在需要调光功能的LED驱动电路中,VBsemi K1540L 可以通过调整门极电压来控制负载电流,实现高效稳定的光源控制。
    - 工业应用:例如在电机控制中,由于其高耐压和快速开关特性,可显著提高系统的整体性能。

    使用建议:
    - 在选择工作条件时,建议确保漏极电流不超过器件的最大额定值。
    - 在高频率切换操作中,注意要保持适当的栅极电阻,避免过度的门极充电导致不必要的功耗。


    兼容性和支持



    - 兼容性:VBsemi K1540L 采用标准的 TO-220、TO-252 等封装形式,方便与多种PCB设计兼容。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和专业支持团队,帮助客户快速解决在设计和测试过程中遇到的问题。


    常见问题与解决方案



    - Q: 如何确定合适的栅极驱动电阻?
    - A: 根据所需的工作频率和门极电荷特性来选择栅极电阻。一般情况下,较低的栅极电阻有助于快速开关,但会增加功耗;较高的栅极电阻可以降低功耗,但可能导致开关速度下降。合理的门极电阻值可以通过实验或仿真工具进行选择。

    - Q: 如何避免过热损坏?
    - A: 使用适当的散热措施,如安装散热片,并确保器件周围有足够的空气流动。另外,合理的设计电路板布局,避免热点区域形成,可有效降低过热风险。


    总结和推荐



    VBsemi K1540L 功率 MOSFET 是一款针对高能效应用设计的产品,具有出色的低导通损耗和高可靠性,非常适合应用于服务器、电信、工业等领域。该产品通过其卓越的性能表现和广泛的适用范围,在同类产品中脱颖而出。对于需要高效电源管理和高性能开关的设计师来说,VBsemi K1540L 是一个值得考虑的选择。

K1540L-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1540L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1540L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1540L-VB K1540L-VB数据手册

K1540L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.1393
500+ ¥ 3.8082
4000+ ¥ 3.6426
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