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SI3867DV-T1-GE3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: SI3867DV-T1-GE3-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI3867DV-T1-GE3-VB

SI3867DV-T1-GE3-VB概述

    # P-Channel 30-V MOSFET SI3867DV-T1-GE3 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(场效应晶体管)是一种高效的电子元件,适用于多种应用领域。此型号为SI3867DV-T1-GE3,采用平面技术制造,具备高可靠性与优良性能。主要功能是作为负载开关使用,以实现电路的控制和保护。
    主要功能
    - 用于电源管理中的负载开关控制
    - 实现电路的通断控制
    - 具备较低的导通电阻,提升系统效率
    应用领域
    - 计算机与服务器电源管理系统
    - 工业自动化控制
    - 汽车电子系统
    - 通讯设备电源管理

    技术参数


    额定参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -30 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(TJ=150°C) | ID | - | -4.8 | -4.1 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | -20 | A |
    | 持续栅极漏电 | IGSS | ± | ±100 | - | nA |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | -1 | -10 | μA |
    | 开态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.049 | 0.054 | Ω |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 输入电容 | Ciss | 450 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 80 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 63 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 5.1 | 10 | 15 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 1.8 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 2.5 | - | nC |
    | 栅极电阻 | Rg | - | 7 | - | Ω |
    热阻参数
    | 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 最大结点到环境热阻 | RthJA | 55 | 62.5 | °C/W |
    | 最大结点到引脚稳态热阻 | RthJF | 34 | 41 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.049Ω (VGS=-10V),0.054Ω (VGS=-4.5V),极大提升了系统的效率。
    - 高可靠性:通过设计保证可靠性,无需生产测试即可保证性能。
    - 环境友好:符合RoHS标准和无卤素要求。
    - 优秀的动态性能:具备快速开关能力和低电荷存储。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    SI3867DV-T1-GE3 适用于计算机电源管理系统中的负载开关控制,能够有效提高电源转换效率和稳定性。此外,它还被广泛应用于工业自动化控制系统中的电机驱动电路中,以实现对电机的有效控制。
    使用建议
    - 在选择合适的栅极驱动器时,注意考虑总栅极电荷和栅极电阻的影响,以确保驱动器能够有效地控制MOSFET。
    - 在使用过程中,应确保散热良好,特别是在高电流条件下,避免过热损坏。
    - 针对具体的应用场景,如需更详细的技术支持,请联系我们的技术支持团队。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可与其他标准的SMT封装的电子元器件兼容,支持标准焊接工艺。
    - 支持:提供全方位的技术支持与售后服务,包括在线咨询、电话支持及定期培训课程。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 电路不工作 | 检查连接是否正确,确认电源电压是否匹配 |
    | 温度过高 | 检查散热措施,必要时增加散热片 |
    | 开关速度慢 | 优化栅极驱动电路,减少栅极电荷影响 |

    总结和推荐


    SI3867DV-T1-GE3是一款出色的P-Channel 30-V MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性以及环保特性,适用于多种应用场景。其优良的动态性能和稳定的工作表现使其在市场上具有很高的竞争力。强烈推荐在电源管理和电机控制等应用中使用此产品。
    如有更多需求或疑问,欢迎随时联系我们。服务热线:400-655-8788。

SI3867DV-T1-GE3-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4.8A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI3867DV-T1-GE3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI3867DV-T1-GE3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI3867DV-T1-GE3-VB SI3867DV-T1-GE3-VB数据手册

SI3867DV-T1-GE3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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3000+ ¥ 0.6627
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