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K1764-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: K1764-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1764-VB

K1764-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    本文将详细介绍一款型号为K1764的N-Channel 60-V (D-S) MOSFET。该产品属于电子元器件类别,主要应用于便携式设备的负载开关。采用Halogen-free(无卤素)材料,符合环保标准,同时也采用了TrenchFET® Power MOSFET技术,以提升性能和可靠性。

    2. 技术参数


    - 工作电压范围:VDS = 0 ~ 60 V
    - 最大门极源极电压:VGS = ± 20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C)
    - TC = 25 °C:ID = 29 nC
    - TC = 70 °C:ID = 2.5 W
    - TA = 25 °C:ID = 4.5 A
    - TA = 70 °C:ID = 1.6 A
    - 脉冲漏极电流(IDM)
    - 连续源极-漏极二极管电流:IS = 7.2 A
    - 最大功率耗散
    - TC = 25 °C:PD = 2.5 W
    - TC = 70 °C:PD = 4 W
    - TA = 25 °C:PD = 2.5 W
    - TA = 70 °C:PD = 1.6 W
    - 操作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55 °C ~ 150 °C
    - 焊接推荐条件(峰值温度):260°C
    - 热阻率
    - 最大结到环境(t ≤ 5 s):RthJA = 40 °C/W
    - 最大结到脚(TJ):RthJF = 15 °C/W
    - 其他特性
    - 脉冲测试(脉宽 ≤ 300 µs,占空比 ≤ 2%)
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):1 μA(VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 55 °C)
    - 阈值电压(VGS(th)):1.5 V
    - 输入电容(Ciss):120 pF
    - 反向传输电容(Crss):100 pF
    - 总栅极电荷(Qg):22 ~ 33 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):15 ~ 25 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):25 ~ 40 ns

    3. 产品特点和优势


    K1764具有以下显著特点和优势:
    - 无卤素材料:符合环保标准,对环境友好。
    - TrenchFET® Power MOSFET技术:提高了产品的可靠性和效率。
    - 高集成度:在便携式设备中的应用更为灵活和高效。
    - 温度适应性强:在-55 °C到150 °C的温度范围内都能正常工作。
    - 低热阻率:有效提高散热效率,降低设备温升。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 负载开关,例如在便携式设备如智能手机和平板电脑中的应用。
    - 功率管理,适用于需要高效率、低损耗的系统。
    使用建议:
    - 在便携式设备中,考虑到空间限制和功耗,选择适当的封装(如SOT89)和设计散热路径。
    - 在设计电路时,考虑负载开关的门极驱动和电源供应,确保门极电压不超过额定值。
    - 在高温环境下使用时,要确保散热措施得当,避免因过热导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K1764与多种电子设备兼容,特别是在需要高集成度和低功耗的应用中。
    - 厂商支持:如有任何技术问题或需技术支持,可通过服务热线(400-655-8788)联系厂商获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:门极驱动电压超出额定值。
    - 解决方案:确保门极电压在±20 V范围内,使用合适的门极电阻来调节驱动电压。
    - 问题2:发热过高。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或风扇以改善散热效果。
    - 问题3:电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保电源电压稳定,并考虑外部滤波器的使用。

    7. 总结和推荐


    总结:
    K1764 MOSFET是一款高性能、高可靠性且环保的产品,特别适合于便携式设备中的负载开关应用。其优越的耐温性和低热阻率,使得其在各种环境中都能保持稳定运行。
    推荐:
    基于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐K1764 MOSFET用于便携式设备的设计中。如果您的应用需要高效率、低损耗和良好的环境适应性,K1764将是您最佳的选择之一。

K1764-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,88mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1764-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1764-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1764-VB K1764-VB数据手册

K1764-VB封装设计

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