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ELM34411AA-N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
供应商型号: ELM34411AA-N-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ELM34411AA-N-VB

ELM34411AA-N-VB概述


    产品简介


    产品类型和主要功能
    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用于负载开关的高性能电子元器件。它特别适用于笔记本电脑和台式电脑中。作为一款沟槽式功率MOSFET,它具备出色的性能和可靠性。
    应用领域
    此产品广泛应用于笔记本电脑和台式电脑中的负载开关。此外,还可应用于需要高电流控制的应用场合。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 门源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):11.6A
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C):5.6W
    - 工作结温及存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS):30V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)):-1.0V 至 3.0V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):-1µA
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.011Ω (VGS = -10V),0.012Ω (VGS = -4.5V)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss):1960pF (VDS = -15V)
    - 输出电容 (Coss):380pF
    - 门-源电荷 (Qgs):6nC
    - 门-漏电荷 (Qgd):11nC
    - 热特性
    - 结到环境的最大热阻 (RthJA):39°C/W(最大值)
    - 结到引脚的最大热阻 (RthJF):18°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    1. 环保材料:根据IEC 61249-2-21标准,该产品不含卤素。
    2. 高可靠性测试:100% Rg测试和100% UIS测试确保产品可靠性。
    3. 低导通电阻:在-10V门源电压下,导通电阻仅为0.011Ω,保证高效能运行。
    4. 高功率处理能力:可承受高达40A的脉冲漏极电流,适用于高功率应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:此MOSFET广泛用于笔记本电脑和台式电脑中的电源管理模块。例如,在电池充电和放电过程中,它可以有效地控制电源流。
    使用建议
    - 电路布局优化:为了提高散热效率,建议在PCB设计时将该MOSFET尽可能靠近散热器,并确保良好的散热通道。
    - 驱动电路设计:由于其较低的门极电荷,建议选择适当的栅极电阻以减少开关损耗。推荐使用1Ω的栅极电阻来实现最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用标准SO-8封装,便于与各种标准电路板兼容。与其他常见的P通道MOSFET相比,具有较好的通用性和互换性。
    - 厂商支持:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括应用指导和技术咨询。用户可以通过服务热线400-655-8788获取相关帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET在高电流情况下过热。
    - 解决方案:增加散热措施,如增加散热片或使用散热膏,以降低结点温度。
    2. 问题:电路启动时存在振铃现象。
    - 解决方案:适当调整驱动电路的栅极电阻值,选择合适的栅极电阻值可以减少振铃现象。
    3. 问题:电路中出现异常噪声。
    - 解决方案:检查电路中的EMI干扰,适当添加滤波器或电容以减少噪声。

    总结和推荐


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一款适用于多种电子设备的理想选择。它的低导通电阻、高可靠性以及卓越的散热性能使其成为市场上极具竞争力的产品。鉴于其广泛的适用性和良好的性能表现,强烈推荐在需要高电流控制的场景中使用。
    通过上述详细分析,该产品无疑具备强大的市场竞争力和应用前景。如果您正在寻找一个可靠且高效的MOSFET解决方案,这款产品将是您的理想之选。

ELM34411AA-N-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.42V
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ELM34411AA-N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ELM34411AA-N-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ELM34411AA-N-VB ELM34411AA-N-VB数据手册

ELM34411AA-N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
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500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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