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K3638-ZK-E2-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: K3638-ZK-E2-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3638-ZK-E2-AY-VB

K3638-ZK-E2-AY-VB概述

    N-Channel 20V (D-S) 175℃ MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档描述的是VBsemi公司生产的N-Channel 20V(漏极-源极)175℃的MOSFET产品。这是一种TrenchFET™ Power MOSFET,适用于广泛的工业和消费类电子产品。其主要功能是用于开关电源、电机驱动、照明系统及通信设备中的功率控制。该产品具有高耐温特性,能在高达175℃的工作环境下稳定运行,为各种恶劣环境提供了可靠的电力转换解决方案。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | - | 20 V |
    | 漏极连续电流(ID) | 100 | 80 A |
    | 漏极脉冲电流(IDM) 200 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 71 8.3 | W |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 0.5 V |
    | 漏源导通电阻(rDS(on)) 0.0045 | 0.006 | Ω |
    | 输出电容(Coss) | 730 pF |
    | 输入电容(Ciss) | 3660 pF |
    | 反向转移电容(Crss) | 375 pF |

    产品特点和优势


    1. 高耐温性能:最高工作温度可达175℃,适用于高温环境下的电力转换需求。
    2. TrenchFET™ 技术:采用先进的沟槽栅场效应技术,使得MOSFET具备更低的导通电阻和更高的效率。
    3. 可靠性测试:所有产品均经过100% Rg测试,确保了产品的质量和可靠性。
    4. 低导通电阻:典型值为0.0045Ω(@ VGS = 4.5V),显著降低功耗并提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于工业自动化设备、数据中心电源、LED照明和汽车电子等领域。例如,在电机驱动应用中,通过使用该MOSFET,可以实现更高效的电源转换,减少能量损失,提高系统整体能效。建议在设计电路时注意散热设计,以充分发挥其高耐温性能。

    兼容性和支持


    本产品兼容多种电子元器件和设备,支持表面贴装工艺。VBsemi公司提供详尽的技术文档和在线支持服务,帮助客户快速了解和应用该产品。同时,公司设有400服务热线(400-655-8788),为客户提供及时的技术咨询和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET过热 | 加强散热设计,使用散热片或风扇 |
    | 开关频率过高导致功耗增加 | 适当降低开关频率 |
    | 电路振荡 | 确保正确的门极电阻和门极电容 |

    总结和推荐


    总体而言,VBsemi的这款N-Channel 20V MOSFET凭借其卓越的性能和可靠的设计,在多个应用场景中表现出色。无论是对于工业应用还是消费类产品,它都是一个值得信赖的选择。鉴于其出色的性能和高可靠性,我们强烈推荐此产品。对于任何需要高效能和高稳定性的电力转换需求,这款MOSFET无疑是一个理想选择。

K3638-ZK-E2-AY-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 145A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 15V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3638-ZK-E2-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3638-ZK-E2-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3638-ZK-E2-AY-VB K3638-ZK-E2-AY-VB数据手册

K3638-ZK-E2-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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