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SI4430BDY-T1-E3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: SI4430BDY-T1-E3-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI4430BDY-T1-E3-VB

SI4430BDY-T1-E3-VB概述

    SI4430BDY-T1-E3 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    SI4430BDY-T1-E3 是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高边同步整流器操作。其主要功能和特点使其适用于多种电子设备,如笔记本电脑CPU核心供电系统中的高边开关。这款MOSFET在紧凑的SO-8封装中提供高性能,使其在各种消费电子产品和工业应用中具有广泛的应用前景。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 栅源电压(VGS):± 20V
    - 漏源击穿电压(VDS):30V
    - 最大漏源电压(IDS):18A (TC=25°C)
    - 最大单脉冲雪崩电流(IAS):22A
    - 最大脉冲漏源电流(IDM):50A
    - 最大功率耗散(PD):4.5W (TC=25°C)

    - 电气特性
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0V ~ 3.0V
    - 管道电容(Ciss):820pF (VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):195pF
    - 反向传输电容(Crss):73pF
    - 总栅极电荷(Qg):15nC ~ 23nC
    - 开启延迟时间(td(on)):16ns ~ 24ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):16ns ~ 24ns

    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-free:符合RoHS标准,绿色环保。
    - TrenchFET®技术:采用了先进的沟槽场效应技术,显著降低了导通电阻。
    - 高可靠性:100%的Rg测试和UIS测试确保了产品的稳定性和耐用性。
    - 优化的高边操作:特别优化的特性使它在高边同步整流器应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑CPU核心供电系统的高边开关
    - 电源适配器和充电器
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热,避免因温度过高导致损坏。
    - 根据应用场景选择合适的驱动电路,以达到最佳的驱动效果。

    5. 兼容性和支持


    SI4430BDY-T1-E3 具有良好的通用性和兼容性,可以方便地集成到现有的系统中。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够高效地进行产品调试和维护。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: 产品的工作温度范围是多少?
    - A: SI4430BDY-T1-E3 的工作温度范围是-55°C 至 150°C。
    - Q2: 如何防止产品过热?
    - A: 在设计电路时,确保适当的散热措施,例如添加散热片或使用更大的PCB。
    - Q3: 如何处理产品损坏的情况?
    - A: 联系VBsemi的客服团队,他们将指导您完成故障诊断并提供必要的更换服务。

    7. 总结和推荐


    总体而言,SI4430BDY-T1-E3 是一款性能卓越且性价比高的N沟道MOSFET,非常适合应用于高边同步整流器及其他类似应用场景。其绿色环保的设计、优化的高边操作特性和广泛的工作温度范围使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐在相关的电子设备中使用这款MOSFET,以确保系统的可靠性和稳定性。

SI4430BDY-T1-E3-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI4430BDY-T1-E3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI4430BDY-T1-E3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI4430BDY-T1-E3-VB SI4430BDY-T1-E3-VB数据手册

SI4430BDY-T1-E3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
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