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UD6004-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: UD6004-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UD6004-VB

UD6004-VB概述

    UD6004 N-Channel 60V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    UD6004 是一款由台湾VBsemi公司生产的 N-Channel 60V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件采用了先进的 TrenchFET® 技术,能够提供出色的电气特性和高温稳定性。UD6004 主要用于电源管理、电机驱动和其他需要高效率和高可靠性的场合。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 60V
    - 导通电阻 (rDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时为 0.025 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V 时为 0.030 Ω
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25 °C 时为 100 A
    - TC = 100 °C 时为 3 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 100 A
    - 最大功耗 (PD):
    - TC = 25 °C 时为 100 W
    - 工作温度范围:
    - 运行结温和存储温度范围为 -55°C 到 175°C
    - 热阻 (RthJA):
    - 最大值为 22 °C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 60V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1.0V 至 3.0V
    - 栅体泄漏 (IGSS): ±100 nA
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 1500 pF
    - 输出电容 (Coss): 140 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 60 pF
    - 总栅电荷 (Qg): 11 nC 至 17 nC
    - 开关延迟时间 (td(on)): 8 ns 至 15 ns

    产品特点和优势


    UD6004 的主要特点包括:
    - TrenchFET® 技术: 提供更低的导通电阻,减少损耗。
    - 宽温度范围: 允许在极端环境下使用,最高结温可达 175°C。
    - 高可靠性: 适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
    - 低导通电阻: 确保在不同工作条件下保持低损耗。
    - 快速开关: 优异的开关性能,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    UD6004 广泛应用于以下领域:
    - 电源管理: 例如开关电源、直流-直流转换器等。
    - 电机驱动: 如无刷直流电机控制。
    - 照明系统: 高效 LED 驱动电路。

    使用建议:
    - 散热设计: 确保器件在高温环境下正常工作,采用有效的散热措施。
    - 驱动电路设计: 使用合适的栅极驱动器以确保快速且稳定的开关过程。
    - 噪声抑制: 在高速开关过程中注意减少电磁干扰(EMI)。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种 PCB 布局,特别是 TO-252 封装标准。
    - 支持和服务: 可通过台湾VBsemi 官方网站获得详细的技术文档和支持服务。如有疑问,可联系客户服务热线 400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备过热
    - A: 检查散热措施,确保良好的空气流通或使用散热片。
    - Q: 开关速度慢
    - A: 调整栅极驱动器参数,确保快速且稳定的开关过程。
    - Q: 噪声较大
    - A: 优化电路布局,减少外部噪声干扰。

    总结和推荐


    总体来说,UD6004 在导通电阻、温度范围和可靠性方面表现出色,非常适合要求高效能和高稳定性的应用场合。推荐在电源管理和电机驱动等应用中使用。如果您对具体的应用需求有任何疑问,建议联系VBsemi的技术支持团队获取更详细的指导。

UD6004-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 45A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UD6004-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UD6004-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UD6004-VB UD6004-VB数据手册

UD6004-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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