处理中...

首页  >  产品百科  >  UT9435G-VB

UT9435G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UT9435G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT9435G-VB

UT9435G-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种用于电力转换和控制的高效开关元件。它采用TrenchFET®技术制造,具备卤素无害、符合RoHS标准等特点,适用于广泛的工业应用领域,如电源管理、电机驱动和汽车电子系统。

    技术参数


    - 电压范围:-30 V (VDS)
    - 最大连续漏极电流:-5.8 A (ID)
    - 最大脉冲漏极电流:-30 A (IDM)
    - 最大栅源电压:±20 V (VGS)
    - 最大功率耗散:2.5 W (PD)
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C (TJ, Tstg)
    静态特性
    - 栅阈值电压:-0.7 V 至 -2.0 V (VGS(th))
    - 零栅压漏极电流:-1 µA (IDSS)
    - 导通电阻:0.033 Ω 至 0.060 Ω (RDS(on)) (分别在 VGS = -10 V 和 VGS = -4.5 V 下)
    动态特性
    - 总栅极电荷:16 nC 至 24 nC (Qg)
    - 上升时间:14 ns 至 25 ns (tr)
    - 反向恢复时间:30 μs 至 60 μs (trr)

    产品特点和优势


    该P-Channel MOSFET具备多项独特功能:
    - 低导通电阻:通过TrenchFET®技术实现,提供更高效的能量转换。
    - 高可靠性:符合RoHS和卤素无害标准,适合多种工业应用。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 150°C,适用于极端环境条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这种MOSFET适用于电源管理、电机驱动等场景,具体可以应用于不间断电源(UPS)、变频器和汽车电源系统中。
    使用建议
    - 在选择MOSFET时,确保漏极电流和栅源电压满足设计要求。
    - 遵循制造商推荐的散热设计,以保证长期稳定运行。
    - 在高压环境下使用时,注意保持适当的电气隔离,避免击穿风险。

    兼容性和支持


    该MOSFET为SO-8封装,便于表面贴装,适合广泛的应用场合。制造商提供了详细的电气和机械规格,同时提供技术支持和售后服务,确保客户能够顺利完成设计和应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定MOSFET的工作温度?
    答:根据技术手册中的绝对最大额定值和正常工作条件,确认MOSFET的工作温度应在-55°C至150°C之间。
    2. 问:栅极电荷对开关性能有何影响?
    答:栅极电荷会影响开关速度,较小的栅极电荷有助于提高开关频率,因此选择合适的MOSFET型号非常重要。

    总结和推荐


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一款高性能、高可靠性的电力电子器件。其低导通电阻和宽工作温度范围使其在多种工业应用中表现出色。推荐用于需要高效率和稳定性的应用场合。购买前,建议详细了解产品的电气特性和应用场景,以确保最佳的使用效果。

UT9435G-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT9435G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT9435G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT9435G-VB UT9435G-VB数据手册

UT9435G-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 0.9725
100+ ¥ 0.9004
500+ ¥ 0.8644
2500+ ¥ 0.8284
库存: 400000
起订量: 30 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:30
合计: ¥ 29.17
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504