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UPA1717G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n一款单P沟道场效应晶体管(FET),用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
供应商型号: UPA1717G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1717G-VB

UPA1717G-VB概述

    # UPA1717G P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UPA1717G 是一款高性能的 P-Channel MOSFET(P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于各种电源管理和控制电路。它具有高可靠性、低导通电阻和良好的热性能,适用于汽车、工业控制和消费电子等领域。
    主要功能
    - P沟道 MOSFET:适合高压、大电流应用。
    - 低导通电阻:提供高效的功率转换。
    - 兼容 RoHS 和无卤素标准:符合环保要求。
    应用领域
    - 汽车电子
    - 工业控制
    - 通信设备
    - 消费电子产品

    技术参数


    以下是 UPA1717G 的关键技术参数和性能指标:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 VDS | - | -30 | - | V |
    | 门限电压 VGS(th) | -0.7 | -2.0 | - | V |
    | 漏极连续电流 ID | -5.8 | -4.1 | - | A |
    | 门极泄漏电流 IGSS | ±100 | - | ± | nA |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.033 | 0.043 | 0.056 | Ω |
    | 门极电荷 Qg | 16 | 24 | - | nC |
    | 漏极-源极反向恢复时间 trr | - | 30 | 60 | µs |
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 VDS:-30 V
    - 门源电压 VGS:±20 V
    - 持续漏极电流 ID(TJ=150°C):-4.1 A(TA=25°C),-3.2 A(TA=70°C)
    - 脉冲漏极电流 IDM:-30 A
    - 最大功率耗散 PD:2.5 W(TA=25°C),1.6 W(TA=70°C)
    热阻参数
    - 瞬态热阻抗 RthJA(≤10s):40 °C/W(典型),50 °C/W(最大)
    - 稳态热阻抗 RthJF:24 °C/W(典型),30 °C/W(最大)

    产品特点和优势


    UPA1717G 的主要优势包括:
    - 低导通电阻:在不同门限电压下的导通电阻最小值为 0.033 Ω,提供高效的功率转换。
    - 高可靠性:符合 RoHS 和无卤素标准,满足环保需求。
    - 出色的温度适应性:工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于多种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子:用于汽车电源管理系统,如电池管理、电机驱动等。
    - 工业控制:适用于自动化控制系统中的电源转换模块。
    - 消费电子:在智能手机、笔记本电脑等设备中作为开关器件。
    使用建议
    - 在选择合适的工作条件时,确保漏源电压 VDS 不超过 -30V。
    - 使用过程中需注意散热设计,以避免因过热导致损坏。
    - 门源电压 VGS 应保持在 ±20V 以内,以防止过高的门极泄漏电流。

    兼容性和支持


    UPA1717G 具有广泛的兼容性,可与其他常见的电源管理器件配合使用。制造商提供了详细的技术支持和维护信息,包括在线文档、样品测试和专业咨询。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 导通电阻偏高:检查工作电压和门源电压是否在正常范围内。
    2. 过热问题:确保适当的散热设计,增加散热片或风扇。
    解决方案
    - 问题一:如果导通电阻偏高,可以通过调整工作电压和门源电压来改善。
    - 问题二:针对过热问题,增加散热措施,例如使用散热片或风扇进行强制冷却。

    总结和推荐


    综上所述,UPA1717G 是一款高效、可靠且易于使用的 P-Channel MOSFET,特别适合在高压、大电流应用中使用。其低导通电阻、高可靠性以及广泛的温度适应性使其成为电源管理领域的理想选择。强烈推荐在各种汽车电子、工业控制和消费电子项目中使用 UPA1717G。

UPA1717G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1717G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1717G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1717G-VB UPA1717G-VB数据手册

UPA1717G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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