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WFF8N60B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: WFF8N60B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF8N60B-VB

WFF8N60B-VB概述

    WFF8N60B Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    WFF8N60B 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极低的栅极电荷和开关损耗,适用于多种高效率的电力转换应用。它广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应、功率因数校正电源供应、照明系统(包括高强度放电灯和荧光灯镇流器)以及工业应用领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大漏极连续电流 (ID):4A(TC = 25°C)
    - 最大漏极脉冲电流 (IDM):未指定
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值为0.4Ω(VGS = 10V,ID = 4A)
    - 输入电容 (Ciss):典型值为200pF
    - 输出电容 (Coss):未指定
    - 反向转移电容 (Crss):未指定
    - 总栅极电荷 (Qg):典型值为16nC(VGS = 10V,ID = 4A)
    - 开关时间 (td(on), tr, td(off), tf):未详细列出
    - 门驱动电阻 (Rg):典型值为3.5Ω
    - 封装:TO-220 FULLPAK
    - 绝对最大额定值:
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 最大功耗 (PD):未指定
    - 环境温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):显著降低了电路中的功率损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):减少了开关损耗,提高了能效。
    - 高可靠性:重复性浪涌电流 (UIS) 额定值达到90mJ,确保在恶劣环境下依然稳定运行。
    - 高温稳定性:即使在极端温度条件下,也能保持良好的性能表现。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:推荐使用 WFF8N60B 以降低功耗并提高系统效率。
    - 照明系统:对于高强度放电灯和荧光灯镇流器,WFF8N60B 的高效能使其成为理想选择。
    - 工业应用:WFF8N60B 在工业环境中的稳定性和可靠性确保其在各种复杂应用中表现出色。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,注意栅极电容的影响,适当减小栅极电阻 (Rg) 以优化开关速度。
    - 选择合适的驱动电路,确保栅极电压的快速上升和下降,减少开关时间。

    兼容性和支持


    WFF8N60B 与常见的电源管理系统和其他电子元器件具有良好的兼容性。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、技术咨询和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压波动导致不稳定?
    - 解决方案:增加栅极电阻 (Rg),以减缓栅极电压变化的速度,稳定工作状态。

    2. 问题:高温下性能下降?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,采用散热片或风扇等方式降低工作温度。

    总结和推荐


    WFF8N60B 功率 MOSFET 具有出色的性能和高度的可靠性,在各类电力转换应用中表现出色。它的低导通电阻和低栅极电荷特性使其成为理想的开关元件。强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的场合,特别是在服务器、电信电源供应和工业控制等领域。
    联系方式:服务热线:400-655-8788 | 网址:www.VBsemi.com

WFF8N60B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF8N60B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF8N60B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF8N60B-VB WFF8N60B-VB数据手册

WFF8N60B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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