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UTM6016G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SO-8
供应商型号: UTM6016G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTM6016G-VB

UTM6016G-VB概述

    UTM6016G N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UTM6016G 是一款N沟道60V(D-S)MOSFET,主要应用于CCFL逆变器等场合。它采用了TrenchFET®技术,特别优化用于低侧同步整流操作。该产品通过了100% Rg和UIS测试,确保了其可靠性。

    2. 技术参数


    技术规格及性能参数如下:
    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 最大栅源电压 \( |V{GS}| \): ±20V
    - 最大连续漏电流 \( ID \)(\( TJ \) = 150°C): 10.5A
    - 最大单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 15A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 11.2mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \)(\( TC \) = 25°C): 5W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 至 150°C
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 38°C/W
    - 最大结到引脚(漏极)稳态热阻 \( R{thJF} \): 20°C/W
    - 电气特性
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0V ~ 3.0V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V \), \( ID = 4.6A \): 0.012Ω
    - \( V{GS} = 4.5V \), \( ID = 4.2A \): 0.015Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1100pF(\( V{DS} = 30V \), \( V{GS} = 0V \), \( f = 1MHz \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 90pF
    - 门级电荷 \( Qg \): 21~32nC(\( V{DS} = 30V \), \( V{GS} = 10V \), \( ID = 4.6A \))

    3. 产品特点和优势


    UTM6016G 的优势在于:
    - 高效能:采用TrenchFET®技术,具有低导通电阻和高耐压特性,适用于高效率的应用场合。
    - 优化设计:特别针对低侧同步整流操作进行优化,适用于CCFL逆变器等应用。
    - 可靠性:通过了100% Rg和UIS测试,确保了产品在极端条件下的可靠性和耐用性。

    4. 应用案例和使用建议


    UTM6016G 主要应用于CCFL逆变器、电源转换电路等场合。
    - 应用示例:在CCFL逆变器中,它可以用于驱动灯管,通过低侧同步整流方式提高转换效率。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,避免过热。例如,可以使用外部散热片或者风扇来降低温度。
    - 注意栅极驱动信号的设计,以减少开关损耗和EMI干扰。


    5. 兼容性和支持


    UTM6016G 的封装为SO-8,可以直接焊接在标准PCB上。
    - 兼容性:与其他采用相同封装标准的产品兼容,方便替换。
    - 支持与维护:厂商提供详细的技术文档和技术支持服务,帮助用户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:MOSFET 过热。
    - 解决方案:检查散热措施是否足够,确保安装在良好的散热环境中。
    - 问题:门级驱动信号不稳定。
    - 解决方案:调整门级驱动信号的频率和幅度,确保信号质量。
    - 问题:MOSFET 损坏。
    - 解决方案:检查是否有超出额定值的电压或电流输入,及时修复损坏的电路。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:UTM6016G 具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点,适用于各种高效能应用。
    - 推荐:强烈推荐使用 UTM6016G 在需要高效能和稳定性的场合,如CCFL逆变器、电源转换电路等。
    综上所述,UTM6016G N-Channel 60-V MOSFET 是一款值得信赖且具备广泛应用前景的高性能电子元器件。

UTM6016G-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 12A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTM6016G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTM6016G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTM6016G-VB UTM6016G-VB数据手册

UTM6016G-VB封装设计

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