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UT100N03L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: UT100N03L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT100N03L-VB

UT100N03L-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET(型号UT100N03L)是一款专为高可靠性设计的电子元器件。它属于TrenchFET® Power MOSFET系列,具有出色的电气特性和广泛的应用领域。主要功能包括OR-ing、服务器电源管理和DC/DC转换。这些特性使其成为电力管理和电源转换系统的理想选择。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - \( TJ = 175 ^\circ \text{C} \): 120 A(\( TC = 25 ^\circ \text{C} \))
    - 贮存温度范围 \( T{stg} \): -55 至 175 °C
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - \( TC = 25 ^\circ \text{C} \): 250 W
    - \( TC = 70 ^\circ \text{C} \): 175 W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 V 至 2.5 V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 μA(\( TJ = 55 ^\circ \text{C} \) 时为 10 μA)
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3100 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 725 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 370 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 171 nC 至 257 nC
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 18 ns 至 27 ns

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术: 采用先进的沟槽场效应晶体管技术,显著提升开关速度和效率。
    2. 高可靠性: 100% 测试确保 Rg 和 UIS 安全性,符合 RoHS 指令。
    3. 宽工作温度范围: -55 °C 至 175 °C,适合各种严苛环境。
    4. 低导通电阻: 在 VGS = 10 V 时,RDS(on) 只有 0.003 Ω,确保高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing 应用: 在服务器系统中用于电源冗余控制。
    - DC/DC 转换: 在电力管理模块中作为高效的开关元件。
    使用建议
    - 确保电路布局合理,特别是散热设计,以防止因过热导致的损坏。
    - 根据具体应用调整栅极驱动电压,以优化开关速度和效率。
    - 在极端环境条件下,建议使用额外的散热装置,以保持最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于标准 TO-220AB 封装,与多种电源管理和电力转换设备兼容。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 产品在高湿度环境下表现如何?
    - A: 通过严格的测试验证,产品在高湿度环境下仍能稳定运行。建议采取适当的防护措施以延长使用寿命。

    2. Q: 产品如何应对瞬间高峰电流冲击?
    - A: 产品经过严格测试,具备承受高达 36 A 的单脉冲雪崩电流能力,适用于高电流应用场合。

    总结和推荐


    UT100N03L MOSFET 是一款卓越的电子元器件,具备出色的电气特性和广泛的适用范围。其高效的开关性能、宽泛的工作温度范围以及优异的可靠性和稳定性使其成为电力管理和电源转换系统的理想选择。强烈推荐在需要高效、高可靠性电力转换和管理的场合使用此产品。

UT100N03L-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT100N03L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT100N03L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT100N03L-VB UT100N03L-VB数据手册

UT100N03L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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