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K1307-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO-220F
供应商型号: K1307-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1307-VB

K1307-VB概述

    K1307-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

    1. 产品简介


    K1307-VB是一款N沟道100伏(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET具备高电压隔离、低热阻和出色的动态性能等特点,适用于多种工业、汽车及消费电子应用领域。

    2. 技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 持续漏极电流(ID):18 A(在25 °C时),12 A(在100 °C时)
    - 脉冲漏极电流(IDM):68 A
    - 最大功率耗散(PD):48 W(在25 °C时)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS):100 V(在ID = 250 µA时)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 - 3.0 V
    - 栅源漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):25 µA(在VDS = 100 V时)
    - 导通电阻(RDS(on)):0.086 Ω(在VGS = 10 V,ID = 10 A时)
    - 输入电容(Ciss):1700 pF(在VGS = 0 V,VDS = 25 V时)
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):1700 pF
    - 输出电容(Coss):560 pF
    - 反向传输电容(Crss):120 pF
    - 总栅电荷(Qg):72 nC
    - 栅源电荷(Qgs):11 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):32 nC
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):65 °C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻(RthJC):3.1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 隔离封装:提供2.5 kVRMS的高电压隔离。
    - 高温性能:能够在高达175 °C的工作温度下稳定运行。
    - 低热阻:具备优异的散热性能,确保长时间可靠工作。
    - 高动态性能:支持动态dV/dt,适用于快速开关应用。

    4. 应用案例和使用建议


    K1307-VB MOSFET广泛应用于各种工业控制系统、电源转换设备以及电动汽车充电系统中。对于需要高可靠性、高性能的应用场景,如电机驱动和电池管理系统,这款MOSFET尤为适用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需注意避免过载情况,以免超过最大额定电流和电压。
    - 高温环境下工作时,适当增加散热措施,以确保MOSFET的正常运行。

    5. 兼容性和支持


    K1307-VB MOSFET符合RoHS标准,适合无铅焊接工艺。此外,台湾VBsemi公司提供了详细的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用并维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:在高频率下使用时,出现过热现象。
    - 解决方案:提高散热效率,例如通过加大散热片面积或改进冷却系统。

    - 问题二:负载变化时,输出不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,并根据实际需求调整驱动信号。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K1307-VB MOSFET凭借其卓越的性能和稳定性,在各类高要求的应用场景中表现出色。考虑到其优良的热管理能力和高可靠性,强烈推荐在关键电子系统中采用此款产品。如果您正在寻找一款耐用且高效的MOSFET,K1307-VB将是您的理想选择。

K1307-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1307-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1307-VB数据手册

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K1307-VB封装设计

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