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UPA2726UT1A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-120A,RDS(ON),4mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.74Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: UPA2726UT1A-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA2726UT1A-VB

UPA2726UT1A-VB概述


    产品简介




    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET UPA2726UT1A

    本文档介绍的是VBsemi公司生产的P-Channel 30-V(漏极-源极)MOSFET——UPA2726UT1A。这是一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于笔记本电脑的负载开关等领域。该产品以其高性能、高可靠性以及环保设计著称。

    主要功能

    - 漏极-源极电压(VDS)为30V
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 高连续漏极电流(ID)

    应用领域

    - 笔记本电脑
    - 负载开关
    - 其他高可靠性的电力电子应用


    技术参数




    基础参数

    - 漏极-源极电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(ID):120A(TJ=25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):280A
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大功率耗散(PD):110W(TJ=25°C)

    关键电气特性

    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=-10V时,0.004Ω
    - VGS=-4.5V时,0.006Ω
    - 输入电容(Ciss):7050pF(VDS=-15V,VGS=0V)
    - 输出电容(Coss):1375pF
    - 反向传输电容(Crss):1215pF
    - 总栅极电荷(Qg):
    - VGS=-10V时,130nC
    - VGS=-4.5V时,78nC

    工作环境

    - 温度范围:-55°C至150°C
    - 无卤素材料,符合RoHS标准


    产品特点和优势




    UPA2726UT1A是一款高性能的P-Channel MOSFET,具备以下独特功能和优势:

    - 低导通电阻(RDS(on)):0.004Ω(VGS=-10V),0.006Ω(VGS=-4.5V)。这使得它非常适合需要高效率电力转换的应用。
    - 高可靠性和耐久性:全部栅极电阻测试(100% Rg Tested),确保每个产品都经过严格的质量控制。
    - 环保设计:采用无卤素材料制造,符合RoHS标准,满足环保要求。


    应用案例和使用建议




    应用案例

    UPA2726UT1A在笔记本电脑的负载开关中有着广泛应用。例如,在一个负载开关的设计中,UPA2726UT1A能够提供高效的电流控制和高可靠性,确保系统的稳定运行。

    使用建议

    1. 散热管理:考虑到最大功率耗散为110W(TJ=25°C),在应用中必须配备有效的散热系统,以防止过热导致性能下降。
    2. 电路布局:为了优化性能,建议将UPA2726UT1A放置在电路板上靠近散热器的位置,并确保良好的接地连接。


    兼容性和支持




    UPA2726UT1A具有广泛的兼容性,可以与各种电源管理系统和其他电子元件配合使用。此外,VBsemi公司提供了全面的技术支持和服务,包括详细的安装指南、用户手册以及快速响应的客户服务,以帮助客户解决可能出现的问题。


    常见问题与解决方案




    常见问题及解决方案

    1. 问题:UPA2726UT1A无法正常工作
    - 解决方案:检查是否正确安装并连接到电路板,确保接地良好。
    2. 问题:过热问题
    - 解决方案:添加散热片或其他散热措施,确保良好的散热条件。
    3. 问题:无法达到预期的电流输出
    - 解决方案:检查电路设计是否有误,确认漏极电流限制未被超过。


    总结和推荐




    UPA2726UT1A是一款高效、可靠的P-Channel MOSFET,适用于笔记本电脑及其他高可靠性电力电子应用。其低导通电阻、高可靠性和环保设计使其在市场上具有强大的竞争力。强烈推荐给需要高性能电力控制元件的应用工程师和技术采购人员。

UPA2726UT1A-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.74V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,6mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA2726UT1A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA2726UT1A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA2726UT1A-VB UPA2726UT1A-VB数据手册

UPA2726UT1A-VB封装设计

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