处理中...

首页  >  产品百科  >  TPC8018-H-VB

TPC8018-H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: TPC8018-H-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TPC8018-H-VB

TPC8018-H-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高效的场效应晶体管(FET),专为高侧同步整流操作优化设计。该器件采用了先进的TrenchFET®技术,具有多种优点,如无卤素设计、高可靠性和良好的热管理能力。它适用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关应用,是高性能电源管理和电池管理系统的理想选择。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 额定电流 (ID)
    - TC = 25°C:18A
    - TC = 70°C:16A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):50A
    - 最大功耗 (PD)
    - TC = 25°C:4.5W
    - TC = 70°C:2.8W
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on))
    - VGS = 10V, ID = 11A:0.004Ω
    - VGS = 4.5V, ID = 10A:0.005Ω
    - 开启总电荷 (Qg)
    - VDS = 15V, VGS = 10V, ID = 11A:15-23nC
    - 开启延迟时间 (td(on))
    - VDD = 15V, RL = 1.4Ω, ID ≅ 9A:8-24ns
    - 工作温度范围
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素设计:确保绿色环保,符合RoHS标准。
    - TrenchFET®技术:提供卓越的性能和可靠性。
    - 高侧同步整流优化:适用于高性能电源管理。
    - 100% Rg和UIS测试:保证所有批次的质量和一致性。
    - 低RDS(on):减少能耗和热量产生,提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 笔记本电脑CPU核心:用于高侧开关电路,提升系统能效。
    - 建议使用场景:
    - 散热设计:为了保持MOSFET的正常工作,建议采用适当的散热措施,如散热片或风扇。
    - 驱动电路设计:根据具体应用需求,选择合适的栅极驱动器,以优化开关速度和降低损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型:SO-8
    - 兼容性:适用于大多数表面贴装工艺,易于集成到现有电路板设计中。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和应用指南,支持工程师和技术人员进行开发和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:MOSFET过热
    - 解决方案:增加散热片或使用散热膏,确保良好的热传导。
    - 问题二:驱动电路不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保驱动电压和电流满足MOSFET的要求。
    - 问题三:性能下降
    - 解决方案:检查工作环境温度,确保在额定工作范围内。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其出色的性能和环保特性,在高效率电源管理和电池管理系统中表现出色。其无卤素设计、高效能和可靠性使其成为各种应用的理想选择。总体而言,该产品非常值得推荐,特别适合需要高性能和可靠性的工业和消费电子领域。
    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系我们的技术支持团队。

TPC8018-H-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TPC8018-H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TPC8018-H-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TPC8018-H-VB TPC8018-H-VB数据手册

TPC8018-H-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 33.05
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504