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2SJ598-Z-E1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 2SJ598-Z-E1-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ598-Z-E1-VB

2SJ598-Z-E1-VB概述

    # P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款P沟道MOSFET,型号为2SJ598-Z-E1。该器件采用TrenchFET®工艺制造,适用于多种高功率转换应用场景。其主要功能是作为高压侧开关,在全桥逆变器和液晶显示模块(LCD)的直流-直流转换器中具有广泛应用。

    技术参数


    以下是根据技术手册整理的产品技术规格:
    - 额定电压(VDS):60V
    - 最大连续漏极电流(ID):25A(在25°C时)
    - 最大脉冲漏极电流(IMD):100A
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 静态导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = -10V,ID = -10A时,RDS(on) = 0.053Ω(在25°C时)
    - 在VGS = -4.5V,ID = -5A时,RDS(on) = 0.062Ω(在25°C时)
    - 总栅极电荷(Qg):26nC(在VDS = -30V,VGS = -10V时)
    - 栅极泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 安全工作区(SOA):
    - 单脉冲重复雪崩能量(EAS):24.2mJ
    - 最大热阻抗(RthJA):21°C/W(快速脉冲),55°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    独特功能
    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准。
    - 全面雪崩测试(UIS Test):确保所有产品均通过全面雪崩测试,以保证其可靠性。
    - 无铅:符合RoHS指令2002/95/EC要求。

    市场竞争力
    - 高耐压:额定电压高达60V,适用于多种高压应用场景。
    - 低导通电阻:优秀的导通性能,适合需要高效能转换的应用。
    - 优良的电气特性:包括较高的栅极电荷和泄漏电流控制,使该器件能够在复杂环境中保持稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 全桥逆变器:作为高压侧开关,用于电源转换。
    - 直流-直流转换器:如用于LCD显示器,提供稳定的电源供应。
    使用建议
    - 散热管理:确保良好的散热设计,以避免因过热导致性能下降。
    - 电气隔离:由于为P沟道MOSFET,需要注意与N沟道MOSFET在电路中的电气隔离。
    - 测试条件:注意温度对性能的影响,尤其是在高温条件下。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于广泛的电子系统,尤其是需要高可靠性的高压电源转换场合。
    - 技术支持:制造商提供详细的资料和技术支持,确保客户能够正确安装和使用产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 漏极电流不稳定 | 检查电路连接,确认是否符合器件的最大电流要求。 |
    | 温度过高 | 确保良好的散热设计,必要时增加散热片或风扇。 |
    | 开关频率问题 | 调整栅极驱动信号频率,确保不会超过器件的最大工作频率范围。 |

    总结和推荐


    产品评估
    2SJ598-Z-E1 MOSFET凭借其出色的耐压能力、低导通电阻和全面的测试验证,展现了其在高可靠性应用中的卓越表现。它非常适合于高压侧开关和复杂的电源转换场景。
    推荐意见
    强烈推荐使用2SJ598-Z-E1 MOSFET,尤其是在需要高性能和高可靠性的电源管理应用中。其卓越的技术参数和广泛的应用场景使其成为一款值得信赖的产品。

2SJ598-Z-E1-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 38A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ598-Z-E1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ598-Z-E1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ598-Z-E1-VB 2SJ598-Z-E1-VB数据手册

2SJ598-Z-E1-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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