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LR7833-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: LR7833-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LR7833-VB

LR7833-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款由VBsemi公司生产的高性能电子元器件,主要用于电力转换和控制领域。这款MOSFET采用先进的TrenchFET® 技术,能够提供出色的导通电阻和电流处理能力。其主要应用领域包括服务器电源管理系统、直流电源转换(DC/DC)、OR-ing电路等。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在TC=25°C时:120A
    - 在TC=70°C时:98A
    - 在TA=25°C时:35.8A
    - 在TA=70°C时:27A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200A
    - 雪崩击穿电流 (IAS):39A
    - 最大雪崩能量 (EAS):94.8mJ
    - 门限电压 (VGS(th)):1.5V~2.5V
    - 栅极泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):1μA(在30V时)
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在TC=25°C时:250W
    - 在TC=70°C时:175W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至175°C
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境的热阻 (RthJA):32°C/W(脉冲宽度≤10秒)
    - 最大结到外壳的稳态热阻 (RthJC):0.5°C/W

    产品特点和优势


    1. 高效能:采用TrenchFET® 技术,具有低导通电阻 (RDS(on)) 和高电流处理能力。
    2. 可靠性高:所有产品都经过100% Rg 和 UIS 测试,确保无缺陷。
    3. 环保合规:符合RoHS指令2011/65/EU,适合绿色电子设计。
    4. 多功能性:适用于多种电力管理场景,如服务器电源管理和直流电源转换。
    5. 高温适应性:可在-55°C至175°C的宽温范围内正常工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款MOSFET常用于服务器电源管理系统中,以提高系统的可靠性和效率。例如,在数据中心的电源分配系统中,使用这款MOSFET可以有效减少电能损耗并提高系统稳定性。
    使用建议
    1. 散热设计:由于这款MOSFET的工作电流较大,建议在使用时添加有效的散热措施,以保证其正常工作温度。
    2. 布局优化:在PCB设计时,将MOSFET放置在易于散热的位置,并确保足够的铜箔面积用于散热。
    3. 驱动电路:选择合适的驱动电路,以确保栅极电压的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    这款MOSFET可与市面上常见的服务器电源管理系统和其他直流电源转换设备兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括产品手册、技术文档、在线技术支持和售后服务。用户可通过服务热线400-655-8788获得更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET温度过高导致过热保护。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保有足够的散热措施。如需进一步帮助,联系VBsemi的技术支持团队。
    2. 问题:电路出现短路故障。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保电路布局没有错误。若问题依旧,请联系技术支持团队进行更详细的诊断。
    3. 问题:输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查负载是否符合要求,确保电源输出稳定。如需进一步支持,请联系VBsemi的技术支持团队。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,广泛应用于电力转换和控制系统中。其低导通电阻、高电流处理能力和宽温度范围使其成为服务器电源管理系统和直流电源转换的理想选择。如果你需要一个能在苛刻条件下稳定工作的电源管理组件,这款MOSFET是一个非常不错的选择。
    推荐:强烈推荐使用这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET,特别是在需要高效能和高可靠性电源管理的场合。

LR7833-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

LR7833-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LR7833-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LR7833-VB LR7833-VB数据手册

LR7833-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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