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VBP16R90S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;N—Channel沟道,600V,90A,RDS(ON)=24mΩ@10V,VGS=±30V;
供应商型号: VBP16R90S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP16R90S

VBP16R90S概述

    # N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款N沟道600V耐压的超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它适用于多种电源管理应用,包括服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)及照明系统。其设计旨在提供低导通电阻(RDS(on)),降低损耗并提高能效。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):600V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 漏极连续电流 (TJ = 150°C):90A (TC = 25°C),TC为环境温度
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):1800mJ
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):62°C/W
    - 最大结到壳体(漏极)热阻 (RthJC):2.5°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):600V (VGS = 0V, ID = 1mA)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.5V 至 4.5V (VDS = VGS, ID = 250μA)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):9300pF (VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss):330pF
    - 有效输出电容(时间相关):213pF
    - 总栅极电荷 (Qg):280nC (VGS = 10V, ID = 20A, VDS = 520V)
    - 反向恢复参数:
    - 反向恢复时间 (trr):520ns (TJ = 25°C, IF = IS = 8A, dI/dt = 100A/μs, VR = 400V)
    - 反向恢复电荷 (Qrr):5.8μC
    - 反向恢复电流 (IRRM):45A

    产品特点和优势


    - 低损耗:具备低漏源电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),可显著降低切换和传导损耗。
    - 高效率:低输入电容(Ciss)有助于提高开关频率,提升系统整体效率。
    - 可靠性能:通过高雪崩能量(EAS)确保器件可靠性,适用于严苛的应用环境。
    - 适应广泛:适合多种工业和商业应用,如服务器、电信、照明等。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:利用其高效能和低损耗特点,适合作为电源转换器的关键组件,确保稳定运行。
    - 开关模式电源供应:结合低RDS(on)特性,减少能耗,适用于高效能SMPS设计。
    - 荧光灯照明系统:用于驱动和控制高效率荧光灯,增强灯具寿命和光效。
    使用建议
    - 散热管理:由于该MOSFET具有高功率损耗能力,应重视散热措施,避免热累积导致器件损坏。
    - 电路设计:考虑使用较低栅极电阻(RG),以加速开关过程并减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术文档和技术支持,确保客户能够顺利部署和使用该产品。如有任何技术疑问,可通过服务热线 400-655-8788 联系技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET出现过热现象?
    - 解决方法:检查散热片是否安装得当,增加外部散热措施如风扇或散热器。

    - 问题2:器件出现损坏?
    - 解决方法:确认驱动电路和电源线路连接正确,检查过流保护机制是否正常工作。

    总结和推荐


    N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET以其卓越的性能、低损耗和高可靠性,在众多应用中表现出色。特别适用于需要高效率、高可靠性电源管理和驱动的场景。综合考虑其技术参数和适用范围,我们强烈推荐此产品作为高性能电源解决方案的核心组件。

VBP16R90S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 90A
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP16R90S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP16R90S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP16R90S VBP16R90S数据手册

VBP16R90S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 59.2016
100+ ¥ 54.8163
500+ ¥ 50.431
900+ ¥ 48.2383
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型号 价格(含增值税)
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