处理中...

首页  >  产品百科  >  VBP16R67S

VBP16R67S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET,600V,67A,RDS(ON),35mΩ@10V,Vgs(±30V), Vth(2.5-4.5V);封装:TO-247
供应商型号: VBP16R67S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP16R67S

VBP16R67S概述


    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于高效率电源转换系统。该产品具有极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),使其非常适合用于需要高开关频率和高能效的应用场景。主要功能包括低功耗操作、快速开关能力和出色的热稳定性。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)

    技术参数


    以下是N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET的主要技术规格:
    - 电压规格:
    - 最大漏源电压(VDS):600V
    - 最大栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(ID):67A @ TJ = 25°C, 6.7A @ TJ = 100°C
    - 脉冲漏极电流(IDM):40A
    - 雪崩能量(EAS):960mJ
    - 最大功耗(PD):510W
    - 绝对最高额定温度(TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(VDS):600V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.034Ω @ VGS = 10V, ID = 22A
    - 输入电容(Ciss):6900pF
    - 输出电容(Coss):330pF
    - 反向传输电容(Crss):4pF
    - 总栅极电荷(Qg):310nC
    - 开启延迟时间(td(on)):18ns
    - 上升时间(tr):24ns
    - 关断延迟时间(td(off)):80ns
    - 下降时间(tf):12ns
    - 动态特性:
    - 源极-漏极体二极管电流(IS):67A
    - 反向恢复时间(trr):520ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):5.8μC
    - 反向恢复电流(IRRM):45A

    产品特点和优势


    - 低功耗:通过低RDS(on)和低Qg实现高效能转换,减少能量损失。
    - 快速开关:卓越的动态性能使得开关速度更快,适用于高频率应用。
    - 高可靠性:采用超级结技术,确保在高温和高电流条件下仍保持稳定。
    - 紧凑封装:采用TO-247封装,方便集成到各种电路板设计中。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源供应:在数据中心和通信设备中,该MOSFET能够显著提高电源转换效率,降低功耗。
    - 荧光灯镇流器:在照明应用中,利用其高效率和快速响应特性,可实现更长的灯具寿命和更高的能效。
    使用建议:
    - 在选择驱动电阻时,建议使用约25Ω的值以平衡开关速度和能效。
    - 使用外部散热片或散热器来增强散热效果,以确保MOSFET在高温环境下正常工作。
    - 确保所有引脚焊接可靠,以避免接触不良导致的问题。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品可以与多种类型的电源管理和转换设备兼容,适用于广泛的工业和消费电子产品。
    - 建议与具有类似特性的其他MOSFET产品配合使用,以实现最佳性能。
    支持:
    - Taiwan VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品数据表、应用指南和技术支持热线。
    - 客户可通过官方网站(www.VBsemi.com)获取更多资源,并联系服务热线400-655-8788寻求帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何防止过热?
    - 解决方案:使用合适的散热措施,如安装散热片或散热器,并确保良好的通风环境。

    2. 问:如何选择正确的驱动电阻?
    - 解决方案:根据具体应用需求选择合适的驱动电阻值,通常建议使用约25Ω的值。

    3. 问:如何确保焊接质量?
    - 解决方案:严格按照制造商的焊接指南进行操作,确保所有引脚焊接牢固且无虚焊现象。

    总结和推荐


    综合评估:
    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET凭借其低功耗、快速开关能力和高可靠性,成为市场上非常优秀的功率MOSFET产品之一。其广泛的应用范围和强大的技术支持使其在各类电源管理和转换设备中表现出色。
    推荐:
    强烈推荐此产品用于高效率电源转换系统和高频应用中。客户可以根据具体应用场景选择合适的型号,并结合上述使用建议以实现最佳性能。

VBP16R67S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V~4.5V
Id-连续漏极电流 67A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP16R67S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP16R67S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP16R67S VBP16R67S数据手册

VBP16R67S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 39.4677
100+ ¥ 36.5442
500+ ¥ 33.6207
900+ ¥ 32.1589
库存: 30000
起订量: 1 增量: 300
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 39.46
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504