处理中...

首页  >  产品百科  >  SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);TO263
供应商型号: 14M-SUM85N15-19-E3 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3概述

    SUM85N15-19-E3-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    SUM85N15-19-E3-VB 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 VBsemi 公司生产。这款 MOSFET 被广泛应用于多种场合,包括电源管理、电机驱动、音频放大等多个领域。以下是其主要特点及应用范围:
    - 产品类型:N 沟道 MOSFET
    - 主要功能:提供高效的电能转换和控制
    - 应用领域:不间断电源、交流/直流开关电源、照明、同步整流、DC/DC 转换器、电机驱动开关、直流/交流逆变器、太阳能微型逆变器、Class D 音频放大器、电池管理系统等

    2. 技术参数


    根据技术手册中的描述,SUM85N15-19-E3-VB 的关键性能参数如下:
    - 最大耐压:VDS = 150 V
    - 最大连续漏极电流:ID = 128 A(TJ = 25 °C), 74 A(TJ = 125 °C)
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 240 A(t = 100 μs)
    - 单次雪崩能量:EAS = 180 mJ
    - 最大功耗:PD = 375 W(TJ = 25 °C), 125 W(TJ = 125 °C)
    - 结温范围:TJ, Tstg = -55 °C 到 +175 °C
    - 热阻抗:
    - 结到环境热阻抗:RthJA = 40 °C/W
    - 结到外壳热阻抗:RthJC = 0.4 °C/W

    3. 产品特点和优势


    SUM85N15-19-E3-VB 主要特点和优势包括:
    - ThunderFET® 技术:具备高效能、低损耗的特性
    - 高温工作能力:最大工作温度可达 175 °C
    - 全面测试:100% Rg 和 UIS 测试确保可靠性
    - 材料分类:符合 RoHS 标准,无卤素
    - 高可靠性:具备卓越的耐用性和稳定性

    4. 应用案例和使用建议


    SUM85N15-19-E3-VB 在多种应用中有显著表现,例如:
    - 电源系统:用于设计高效的开关电源,如不间断电源系统(UPS)、交流/直流转换器等
    - 电机控制:在电机驱动中,确保电机稳定运行
    - 光伏逆变器:适合太阳能微逆变器,提升能源转换效率
    - 音频放大器:用于 Class D 音频放大器,提高音质和降低能耗
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计符合手册中提供的尺寸和安装要求
    - 选用合适的散热措施,特别是在高功率应用中
    - 监控工作温度,确保不超过器件的额定温度范围

    5. 兼容性和支持


    SUM85N15-19-E3-VB 可与其他标准电路板组件兼容,并且厂商提供了详细的技术支持,包括安装指南、应用笔记和故障排除文档。

    6. 常见问题与解决方案


    手册中列出了常见的问题及其解决方案,例如:
    - 过热保护:合理布置散热片,避免长时间满载工作
    - 短路保护:使用外部保险丝或电路保护装置
    - 振铃现象:优化电路布局,减小寄生电感

    7. 总结和推荐


    总体而言,SUM85N15-19-E3-VB 是一款高性能、多功能的 N 沟道 MOSFET,在多个领域都有出色的应用表现。其独特的技术特点和可靠的性能使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效能电能转换和控制的应用场景,我们强烈推荐使用 SUM85N15-19-E3-VB。

SUM85N15-19-E3参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SUM85N15-19-E3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SUM85N15-19-E3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3数据手册

SUM85N15-19-E3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 4.7663
库存: 50
起订量: 5 增量: 800
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 23.83
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504