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VBE1154N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),42mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-VBE1154N TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE1154N

VBE1154N概述


    产品简介


    N-Channel 150V MOSFET(VBE1154N)
    VBE1154N是一款N沟道150V耐压的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电力转换和开关应用。该器件具备低栅源阈值电压(VGS(th))、极低的栅漏电荷(Qgd)和高温稳定性等特点,适合用于初级侧开关电路。VBE1154N采用表面贴装技术(SMD),便于在PCB板上进行快速安装和焊接。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 150 | V |
    | 持续漏电流(ID) | 40 | A |
    | 最大单脉冲雪崩电流(IAS) | 20 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 5.9 | W |
    | 最大栅源电压(VGS) | ± 20 | V |
    | 热阻抗(RthJA) | 33 至 40 | °C/W|
    | 静态导通电阻(RDS(on)) | 0.032 Ω @ VGS = 10V, ID = 5A |
    | 开关频率相关电容 | Ciss:1735 pF, Coss:160 pF, Crss:37 pF |

    产品特点和优势


    - 低损耗: 通过极低的栅漏电荷(Qgd)实现高效的开关损耗控制。
    - 可靠性高: 100%测试Rg和雪崩测试确保了产品的可靠性和长期使用寿命。
    - 环保材料: 符合RoHS指令和无卤素标准,确保符合环保要求。
    - 温度范围宽: 可以在-55°C至150°C的温度范围内工作,适应各种环境条件。
    - 高效率: 由于其超低的RDS(on),在高电流密度下依然能够保持较低的导通电阻,提高能效。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    VBE1154N适用于许多电力电子应用,如电源转换、电池充电器、电机驱动器和工业控制系统。特别是在需要高效开关的应用中,如DC-DC转换器、LED驱动器和逆变器。
    使用建议
    - 热管理: 由于该MOSFET具有较高的热阻抗,建议使用良好的散热设计,如加装散热片或散热器。
    - 驱动信号: 为了最大限度地减少开关损耗,可以使用较低的栅极电阻(Rg)来优化开关速度。
    - 布局考虑: 在设计PCB时,确保正确的焊盘尺寸和间距,以保证良好的热扩散和电气连接。

    兼容性和支持


    - 兼容性: VBE1154N与其他常见的表面贴装组件兼容,适合在各种不同的电路板设计中使用。
    - 支持服务: VBE1154N由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产,提供全面的技术支持和售后服务,包括设计指导和故障排除。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关过程中过热 | 加装散热器或改善散热设计 |
    | 高频应用中振铃现象严重 | 调整栅极电阻(Rg)以优化开关速度 |
    | 损耗过高 | 检查电路板设计中的散热问题和布局优化|

    总结和推荐


    VBE1154N凭借其高效能、高可靠性及广泛的适用范围,在电力转换和开关电路中表现出色。其优秀的热管理和低损耗特性使其成为众多应用的理想选择。如果你正在寻找一款高效、可靠且环境友好的MOSFET,VBE1154N是值得推荐的产品。

VBE1154N参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 25A
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@10V,50mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE1154N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE1154N数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE1154N VBE1154N数据手册

VBE1154N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.3066
10+ ¥ 4.0533
30+ ¥ 3.6175
100+ ¥ 2.7106
2500+ ¥ 2.6093
7500+ ¥ 2.5333
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