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UTM4052G-S08-R&特30V

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: 14M-UTM4052G-S08-R&特30V SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTM4052G-S08-R&特30V

UTM4052G-S08-R&特30V概述

    # UTM4052G-S08-R & 特 30V N-Channel/P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTM4052G-S08-R & 特 30V 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的高性能N-Channel/P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具有低导通电阻(RDS(on))和高电流能力,适用于多种应用场合,如电机驱动、移动电源和其他需要高效开关控制的电子设备。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on)):确保较低的功率损耗和较高的效率。
    - 高电流能力:能够处理较大的电流,适用于各种负载。
    - 高可靠性和稳定性:100% Rg 和 UIS 测试确保了产品的质量和可靠性。
    应用领域
    - 电机驱动
    - 移动电源

    技术参数


    | 参数 | N-Channel | P-Channel |
    |
    | 漏源电压 VDS (V) | 30 | 30 |
    | 最大栅源电压 VGS (V) | ± 20 | ± 20 |
    | 持续漏极电流 (TJ = 150°C) | 8A @ TC = 25°C | 8A @ TC = 25°C |
    | 单脉冲雪崩电流 IAS (A) | 10 | 20 |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS (mJ) | 5 | 20 |
    | 阈值电压 VGS(th) (V) | 2.0 @ VDS = VGS | 2.0 @ VDS = VGS |
    | 导通电阻 RDS(on) (Ω) | 0.018 @ VGS = 10 V | 0.040 @ VGS = -10 V |
    | 零栅源电压漏极电流 IDSS (μA)| 1 @ VDS = 30 V, VGS = 0 V | -1 @ VDS = -30 V, VGS = 0 V |
    | 动态输入电容 Ciss (pF) | 510 | 620 |
    | 输出电容 Coss (pF) | 95 | 115 |
    | 反向转移电容 Crss (pF) | 33 | 57 |
    | 总门电荷 Qg (nC) | 6-10 @ VDS = 20 V | 41.5-63 @ VDS = -20 V|

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:显著降低功耗,提高系统整体效率。
    2. 高可靠性:通过100% Rg 和 UIS测试,确保了产品的质量和可靠性。
    3. 环境友好:符合RoHS标准,并且无卤素材料。
    4. 广泛的应用范围:适用于多种电子设备,特别是那些需要高电流和高效能的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动:UTM4052G-S08-R & 特 30V 在电机驱动应用中表现出色,由于其低导通电阻和高电流能力,可以有效减少能量损失,提高电机效率。
    - 移动电源:适用于高功率输出的移动电源,以确保稳定和高效的能源供应。
    使用建议
    - 热管理:考虑到较高的功耗,建议使用适当的散热措施以保持最佳性能。
    - 驱动电路设计:根据具体应用选择合适的栅极电阻值,以实现最佳的开关速度和效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UTM4052G-S08-R & 特 30V 与常见的SO-8封装标准兼容,方便集成到现有电路中。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和常见问题解答,以帮助用户更好地利用此产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流下运行时发热严重。
    解决方案:确保采用有效的散热措施,例如增加散热片或使用风扇。
    2. 问题:开关频率过高导致效率下降。
    解决方案:适当调整驱动电路中的栅极电阻,以优化开关时间和频率。
    3. 问题:导通电阻不稳定。
    解决方案:确保工作温度在规定的范围内,并检查电路连接是否正确。

    总结和推荐


    UTM4052G-S08-R & 特 30V N-Channel/P-Channel MOSFET 是一款高性能的电子元器件,特别适合于需要高效率和稳定性的应用场景。其低导通电阻、高可靠性及广泛的应用范围使其成为电机驱动和移动电源等应用的理想选择。强烈推荐在相关项目中使用此产品,以实现更好的性能和更高的系统可靠性。

UTM4052G-S08-R&特30V参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8

UTM4052G-S08-R&特30V厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTM4052G-S08-R&特30V数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTM4052G-S08-R&特30V UTM4052G-S08-R&特30V数据手册

UTM4052G-S08-R&特30V封装设计

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