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VBZA9926

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块,电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动化模块、LED 照明模块。
供应商型号: 14M-VBZA9926 SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZA9926

VBZA9926概述

    # VBZA9926 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBZA9926 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 VBsemi 提供。这款产品采用了先进的 TrenchFET® 技术,提供卓越的性能和高可靠性。它适用于多种电子应用,如电源管理、通信设备和消费电子产品等。VBZA9926 符合环保要求,支持无卤素(IEC 61249-2-21 定义)和 RoHS 标准,适合现代化绿色制造需求。

    技术参数


    以下是 VBZA9926 的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 20 | V |
    | 栅源电压(VGS) ±12 V |
    | 持续漏极电流(TA=25°C) | ID 7.1 A |
    | 脉冲漏极电流(10 µs脉宽) | IDM 40 | A |
    | 导通状态漏源电阻(RDS(on)) 0.019 0.026 | Ω |
    | 阈值电压(VGS(th)) 0.6 | 1.5 V |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    热阻参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):62.5 °C/W

    产品特点和优势


    VBZA9926 的主要特点包括:
    1. 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 标准,绿色环保。
    2. TrenchFET® 技术:提高电流密度和开关速度。
    3. 100% 测试:确保所有产品的栅极电阻(Rg)均经过测试。
    4. 高可靠性和低功耗:适用于高温环境和高负载条件。
    这些特点使 VBZA9926 在电源管理和高频开关应用中表现出色,具有良好的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    VBZA9926 的典型应用包括:
    - 开关电源电路
    - 电机驱动器
    - USB 快速充电设备
    使用建议
    - 在高功率应用中,需注意散热设计以避免过热。
    - 确保电路板焊接时间不超过 10 秒,以防止焊点质量下降。
    - 对于脉冲电流应用,可采用外部冷却措施来延长使用寿命。

    兼容性和支持


    VBZA9926 支持 SO-8 封装标准,与其他主流 IC 和模块兼容。VBsemi 提供全方位的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术文档下载。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 漏极电流不稳定 | 检查负载是否超出额定范围 |
    | 热量过高 | 添加散热片或优化 PCB 设计 |
    | 栅极电压异常 | 确认栅极驱动电路连接正确且电压稳定 |

    总结和推荐


    VBZA9926 是一款高性能、环保友好的 N-Channel MOSFET,适合现代电子设备的广泛应用。其优秀的导通电阻和高可靠性使其成为电源管理领域的理想选择。我们强烈推荐 VBZA9926 给需要高性能、低成本解决方案的设计工程师。
    如需更多信息,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com。

VBZA9926参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
Id-连续漏极电流 8A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,22mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZA9926厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZA9926数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZA9926 VBZA9926数据手册

VBZA9926封装设计

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