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VBZE70N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: 14M-VBZE70N03 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE70N03

VBZE70N03概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,专为电源管理和直流-直流转换应用设计。这种类型的MOSFET通常用于服务器、OR-ing电路以及其他需要高效能开关控制的应用场合。

    2. 技术参数


    以下是该产品的技术规格和性能参数:
    - 额定电压(VDS): 30 V
    - 最大连续漏极电流(TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C: 100 A
    - TC = 70 °C: 80 A
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(VDS): 30 V
    - 门限电压(VGS(th)): 1.5 - 2.5 V
    - 门限电压温度系数(ΔVGS(th)/TJ): -7.5 mV/°C
    - 零门限电压漏极电流(IDSS): 1 µA
    - 导通状态漏极电流(ID(on)): 90 A
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 38.8 A: 0.002 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 37 A: 0.00 Ω
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss): 5201 pF
    - 输出电容(Coss): 1525 pF
    - 反向转移电容(Crss): 770 pF
    - 总门极电荷(Qg):
    - VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 38.8 A: 151 - 227 nC
    - VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 28.8 A: 71.5 - 103 nC

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 提高了效率和可靠性。
    - 全检验证: 包括100% Rg和UIS测试。
    - 符合RoHS标准: 环保材料,适用于现代电子产品制造要求。
    - 出色的散热性能: 最大结点到环境热阻(RthJA)为32°C/W,确保长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器: 在服务器系统中作为关键电源管理组件,提供高效的电力控制。
    - OR-ing 电路: 在冗余电源系统中用于防止反向电流。
    - 直流-直流转换器: 用于实现高效的电压转换,广泛应用于各种工业和消费电子设备中。
    使用建议:
    - 确保电路设计考虑散热需求,避免过热损坏。
    - 使用适当的封装以提高热稳定性。
    - 在高温环境下使用时,注意降低工作电流以防止热应力。

    5. 兼容性和支持


    该产品与大多数主流服务器和电源管理系统兼容。VBsemi提供全面的技术支持,包括产品文档、样品供应和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的门极电压导致损坏。
    - 解决办法: 使用适当的驱动电路和门极电阻,确保电压不超过20V。
    - 问题: 高温下性能下降。
    - 解决办法: 采用有效的散热措施,如增加散热片或使用风扇。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其高效能、可靠性及环保特性,在多种应用场景中表现出色。尤其适用于服务器和电源管理系统的电源转换和开关控制。建议在需要高性能和可靠性的电路设计中使用此产品。

VBZE70N03参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 100A
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE70N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE70N03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE70N03 VBZE70N03数据手册

VBZE70N03封装设计

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