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IRFU430AP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-IRFU430AP TO-251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFU430AP

IRFU430AP概述

    IRFU430AP-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFU430AP-VB 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低栅极电荷(Qg),简单的驱动要求,改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性等特点。该产品广泛应用于电源转换、电机驱动和高频开关电路等领域。

    2. 技术参数


    - 主要电气参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 650 V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\)(VGS = 10 V): 2.1 Ω
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 12 nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 19 nC
    - 最大总栅极电荷 \(Qg\): 48 nC
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±30 V
    - 连续漏极电流 \(ID\)(Tc = 100 °C): 4.2 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 325 mJ
    - 最大功耗 \(PD\)(Tc = 25 °C): 60 W
    - 典型工作条件
    - 静态漏源击穿电压 \(V{DS}\): 650 V
    - 门限电压 \(V{GS(th)}\): 2.0 - 4.0 V
    - 零门压漏极电流 \(I{DSS}\): 25 μA
    - 有效输出电容 \(C{oss \ eff.}\): 84 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷 \(Qg = 48 nC\) 和低栅源电荷 \(Q{gs} = 12 nC\),使驱动需求简化,降低了能耗。
    - 增强的耐久性:改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性,使得产品更加稳定可靠。
    - 全面表征的电容和雪崩特性:通过温度和电流的全面测试,确保产品的性能稳定。
    - 符合 RoHS 规范:完全符合欧盟关于有害物质的限制指令。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源转换器
    - 电机驱动电路
    - 高频开关电路
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要考虑散热设计以防止热失控。
    - 确保栅极驱动电压不超过最大限制值,以避免损坏。
    - 在关键应用中,建议进行充分的测试和验证,以确保长期可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRFU430AP-VB 与其他常见的 N-通道 MOSFET 在封装和电气特性方面具有良好的兼容性。
    - 技术支持:提供详尽的技术手册和应用指南,同时可以通过服务热线(400-655-8788)获取进一步的支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅极电压导致 MOSFET 损坏。
    - 解决方案:确保栅极驱动电压不超过 ±30 V 的额定值。

    - 问题2:高温环境下的散热问题。
    - 解决方案:采用有效的散热措施,如加大散热片面积,增加风扇冷却等。

    7. 总结和推荐


    IRFU430AP-VB 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET,具有低栅极电荷、增强的耐久性以及符合 RoHS 规范的特点。它的典型应用包括电源转换器、电机驱动电路和高频开关电路。对于需要高可靠性和高性能的应用场合,我们强烈推荐使用 IRFU430AP-VB。

IRFU430AP参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4.5A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFU430AP厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFU430AP数据手册

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