处理中...

首页  >  产品百科  >  UTM6016G

UTM6016G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SO-8
供应商型号: 14M-UTM6016G SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTM6016G

UTM6016G概述

    UTM6016G-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UTM6016G-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为低侧同步整流操作优化设计。它符合IEC 61249-2-21定义的无卤材料标准,并采用了TrenchFET®技术,确保高效能和高可靠性。这种器件广泛应用于冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器等场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压: VDS = 60V
    - 最大栅源电压: VGS = ± 20V
    - 连续漏极电流:
    - TJ = 150°C 时 ID = 25A
    - TJ = 25°C 时 ID = 10.5A
    - 脉冲漏极电流: IDM = 25A
    - 最大功率耗散:
    - TJ = 25°C 时 PD = 5W
    - TJ = 70°C 时 PD = 3.2W
    - 总栅电荷: Qg = 10.5nC
    - 阈值电压: VGS(th) = 1.0~3.0V
    - 输入电容: Ciss = 1100pF
    - 输出电容: Coss = 90pF
    - 反向转移电容: Crss = 55pF

    3. 产品特点和优势


    - 无卤材料: 符合环保标准。
    - TrenchFET®技术: 提高耐压能力和导通电阻。
    - 优化的低侧同步整流操作: 确保高效的电力转换。
    - 严格的测试和认证: 保证所有批次的产品都经过100% Rg和UIS测试。

    4. 应用案例和使用建议


    - 冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器: 在此类应用中,UTM6016G-VB能够显著提高电路的效率和稳定性。建议使用时注意散热设计,避免因过热导致的性能下降。
    - 实际使用场景: 在电源转换电路中,UTM6016G-VB可以作为关键的开关元件,提供高效率的电力传输。建议在选择外部电路元件时,考虑与UTM6016G-VB的最佳匹配,以达到最佳效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与常见的印刷电路板(PCB)设计兼容,便于安装和维护。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持,包括详细的文档和应用指南。此外,还可以通过服务热线(400-655-8788)获得及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极电流过大导致器件过热。
    - 解决办法: 优化散热设计,确保散热片和热沉的有效性。
    - 问题: 操作温度范围超出限定值。
    - 解决办法: 验证并调整实际工作环境,确保温度在规定的范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,UTM6016G-VB是一款适用于多种高要求应用的高性能N沟道功率MOSFET。它的主要优点包括无卤材料、高效的TrenchFET®技术、优化的低侧同步整流操作等。考虑到其出色的性能和广泛的适用性,强烈推荐在相关的电力转换应用中使用该产品。

UTM6016G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 12.6A
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTM6016G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTM6016G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTM6016G UTM6016G数据手册

UTM6016G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.1918
库存: 100
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504