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SI4410DY-T1-E3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,11A,RDS(ON),11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V,15Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-SI4410DY-T1-E3 SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI4410DY-T1-E3

SI4410DY-T1-E3概述

    SI4410DY-T1-E3-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    SI4410DY-T1-E3-VB 是一款N沟道30V (D-S) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它主要用于笔记本CPU核心的高侧同步整流操作。这款MOSFET具有无卤素特性,采用了先进的TrenchFET®技术,使其在高侧开关应用中表现出色。

    技术参数


    以下是SI4410DY-T1-E3-VB的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 漏极连续电流 (ID):在25°C时为13 A,在70°C时为9 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):45 A
    - 最大单次脉冲雪崩电流 (IA):2.0 A
    - 雪崩能量 (EAS):21 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):在25°C时为4 W,在70°C时为2.2 W
    - 热阻(结到环境):最大为55°C/W
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    SI4410DY-T1-E3-VB 的关键优势包括:
    - 无卤素材料:符合环保要求,适用于对环境有较高要求的应用。
    - TrenchFET®技术:显著降低了导通电阻(RDS(on)),提高了效率。
    - 优化的高侧同步整流操作:特别适合于笔记本CPU的核心供电,能够提供高效稳定的电力供应。
    - 100% 测试:每个产品都经过栅极电阻(Rg)和单脉冲雪崩(UIS)测试,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 笔记本CPU核心的高侧开关
    - 用于需要高效率电力转换的其他应用
    使用建议:
    - 在设计高侧同步整流电路时,应考虑器件的工作温度范围,确保在高温条件下稳定运行。
    - 为了最大化性能,建议在设计时留有足够的散热空间,特别是在高负载条件下。

    兼容性和支持


    - SI4410DY-T1-E3-VB 支持标准SO-8封装,可方便地集成到现有的电路板设计中。
    - 厂商提供了详细的技术文档和在线技术支持,用户可以访问 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 获取更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确保MOSFET在高温环境下正常工作?
    - 解决方案:选择合适的散热方案,如增加散热片或风扇,确保散热路径畅通,避免温度超过最大值。
    - 问题2:如果遇到器件过热现象,应该采取什么措施?
    - 解决方案:检查电路是否存在短路或其他故障,必要时降低工作负载或增加外部冷却措施。
    - 问题3:如何测试MOSFET的雪崩特性?
    - 解决方案:可以使用专业的测试仪器进行单脉冲雪崩测试,确保其满足设计要求。

    总结和推荐


    总体而言,SI4410DY-T1-E3-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于多种高要求的电力转换应用。其无卤素材料、优化的高侧同步整流能力和广泛的温度适应性,使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐使用此款产品,特别是在注重环境友好和高效率的场合。对于具体应用的任何疑问,建议直接联系VBsemi的技术支持团队以获取更详细的信息和指导。

SI4410DY-T1-E3参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI4410DY-T1-E3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI4410DY-T1-E3数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI4410DY-T1-E3 SI4410DY-T1-E3数据手册

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