处理中...

首页  >  产品百科  >  VBZA4618

VBZA4618

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±40V,8/-7A,RDS(ON),15/19mΩ@10V,18/22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.8Vth(V) 封装:SO-8
供应商型号: 14M-VBZA4618 SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZA4618

VBZA4618概述

    N-Channel和P-Channel 40V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品为N-Channel和P-Channel 40V (D-S) MOSFET,具有高性能和高可靠性。它适用于电机驱动等多种应用领域。MOSFET采用先进的TrenchFET®技术制造,确保了卓越的电气特性和耐用性。

    技术参数


    - 电压规格
    - 漏源击穿电压 (VDS): N-Channel 0 V, P-Channel 0 V
    - 最大漏源电压 (VDS): 40 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 电流规格
    - 连续漏极电流 (ID):
    - N-Channel: TA = 25 °C 时 6.8 A, TA = 70 °C 时 5.4 A
    - P-Channel: TA = 25 °C 时 6.8 A, TA = 70 °C 时 5.4 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 20 A
    - 功率规格
    - 最大功率耗散 (PD):
    - N-Channel: TC = 25 °C 时 6.1 W, TC = 70 °C 时 3 W
    - P-Channel: TC = 25 °C 时 5.2 W, TC = 70 °C 时 3 W
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):
    - N-Channel: 20 °C/W
    - P-Channel: 27 °C/W
    - 静态特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - N-Channel: VGS = 10 V, ID = 6.8 A 时 0.015 Ω
    - P-Channel: VGS = -10 V, ID = -8 A 时 0.017 Ω
    - 动态特性
    - 开启延迟时间 (td(on)):
    - N-Channel: 5 ns 至 10 ns
    - P-Channel: 10 ns 至 20 ns

    产品特点和优势


    1. 高效能:采用TrenchFET®技术,提供卓越的开关性能和低导通电阻。
    2. 耐用性:通过严格的可靠性测试,如UIS测试和100%栅极电阻测试。
    3. 环保设计:符合RoHS和无卤素标准。
    4. 宽工作温度范围:支持-55°C至150°C的工作温度范围。

    应用案例和使用建议


    - 电机驱动:在电机驱动系统中,这些MOSFET可显著提高系统的效率和可靠性。建议在高温环境下使用散热片以确保散热效果。
    - 电源管理:作为电源管理电路的关键组件,它们能有效控制电流并减少功耗。确保合理的布局和走线,避免不必要的寄生效应。

    兼容性和支持


    这些MOSFET与多种电子设备和系统兼容。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括详尽的文档、在线技术支持和现场应用指导。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高负载下过热。
    - 解决方案: 使用适当的散热片,并确保良好的空气流通。
    - 问题2: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查连接电容值是否正确,并确认电路布局没有干扰。
    - 问题3: 频繁出现故障。
    - 解决方案: 确保MOSFET工作在规定的电气和环境参数范围内。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel和P-Channel 40V (D-S) MOSFET凭借其高效率、耐用性和广泛的应用范围,在众多电子设备中表现出色。它不仅适用于电机驱动和电源管理,还具备广泛的兼容性和可靠的支持服务。因此,我们强烈推荐这款产品用于各种需要高性能MOSFET的应用场景。

VBZA4618参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.8V
Vds-漏源极击穿电压 ±40V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 15/19mΩ@10V,18/22mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A,7A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 N+P沟道
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZA4618厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZA4618数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZA4618 VBZA4618数据手册

VBZA4618封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.3104
库存: 100
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 6.55
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504