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VBZE20P03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: 14M-VBZE20P03 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE20P03

VBZE20P03概述

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET — VBZE20P03

    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(VBZE20P03)是一款高性能、低阻抗的P沟道场效应晶体管(P-Channel MOSFET),专为负载开关和笔记本适配器转换等应用设计。该产品采用先进的TrenchFET®工艺制造,具有高可靠性和优良的电气特性,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。

    技术参数


    以下是VBZE20P03的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 最大连续漏极电流 (ID):-112A(脉冲)
    - 最大功率耗散 (PD):25W(TC=25°C)
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):38°C/W(≤10秒)
    - 典型阈值电压 (VGS(th)):-1.0至-2.5V
    - 零栅压漏电流 (IDSS):-1μA(VDS=-30V, VGS=0V)
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):0.033Ω(VGS=-10V, ID=-10A)
    - 输入电容 (Ciss):1350pF(VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss):255pF
    - 反向传输电容 (Crss):190pF
    - 总栅极电荷 (Qg):19至43nC(VDS=-15V, ID=-10A)

    产品特点和优势


    VBZE20P03拥有以下几个显著特点和优势:
    - 无卤素设计:符合环保标准。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品质量和可靠性。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):提高效率并减少功率损耗。
    - 快速开关特性:加快响应速度,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:在电源管理电路中用于控制电流。
    - 笔记本适配器开关:提高适配器的转换效率。

    使用建议:
    - 在负载开关应用中,要确保电压和电流不超过额定值,避免过热损坏。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,以保证器件正常运行。

    兼容性和支持


    VBZE20P03支持标准的TO-252封装,便于安装和集成。制造商提供全面的技术支持和售后服务,客户可以通过官方热线400-655-8788获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后出现过热现象?
    - 解决办法:检查散热系统,增加散热片或风扇以改善散热条件。
    - 问题:开机时出现异常电流?
    - 解决办法:检查电路连接是否正确,确保各引脚接触良好,无短路情况。
    - 问题:栅极驱动电压不稳定?
    - 解决办法:使用稳定的电源供应,确保栅极驱动信号质量。

    总结和推荐


    综上所述,VBZE20P03以其卓越的电气特性和高效能表现,在负载开关和笔记本适配器转换等应用中表现出色。其无卤素设计和严格的生产测试保证了其高品质和高可靠性。因此,强烈推荐使用此款产品。

VBZE20P03参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 26A
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE20P03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE20P03数据手册

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VBZE20P03封装设计

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