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VBE18R07S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,7A,RDS(ON),850mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBE18R07S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE18R07S

VBE18R07S概述

    # 电子元器件产品技术手册解读:VBM18R07S/VBMB18R07S N-Channel Power MOSFET

    一、产品简介


    产品类型
    VBM18R07S/VBMB18R07S 是一款高性能的N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力电子系统。它具有卓越的导通电阻和低门极电荷,能够在高频开关应用中实现高效的能量转换。
    主要功能
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 减少功耗,提高效率。
    - 快速开关性能: 降低开关损耗,适合高频工作环境。
    - 高可靠性: 支持高达800V的击穿电压和150℃的工作温度范围。
    应用领域
    该器件广泛应用于以下领域:
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯球泡)
    - 工业设备

    二、技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压 (TJ max.) | VDS | - | 800 | - | V |
    | 导通电阻 (VGS=10V) | RDS(on) | - | 0.85 | - | Ω |
    | 总门极电荷 | Qg | - | - | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 147 | - | pF |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 75 | - | - | mJ |
    | 最大功耗 | PD | - | 99.46 | - | W |
    | 极限工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | ℃ |

    三、产品特点和优势


    特点
    1. 低损耗设计: 具有极低的导通电阻和门极电荷,显著减少开关和导通损耗。
    2. 优异的热性能: 支持高达150℃的结温,适合恶劣工作环境。
    3. 高可靠性: 支持重复脉冲雪崩能量测试,确保在极端条件下的稳定性。
    优势
    - 高效能: 在高频开关应用中表现出色,有助于提升整体系统的效率。
    - 广泛适用: 可应用于多种工业和消费级电力电子产品,市场需求量大。
    - 安全性强: 支持反向恢复电流和时间特性,确保电路稳定运行。

    四、应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电信电源: 在高压直流转换过程中,通过降低开关损耗提升电源模块效率。
    2. 工业电机控制: 高频驱动电机时,利用快速开关特性实现精确控制。
    3. 照明系统: 在HID或荧光灯电路中,增强功率转换的稳定性和寿命。
    使用建议
    - 散热管理: 为保证正常工作,需合理配置散热片,避免结温过高。
    - 匹配外部电路: 根据负载特性选择合适的栅极驱动电阻 (Rg),以优化开关速度。
    - 防护措施: 增加过流保护电路,防止过载损坏。

    五、兼容性和支持


    兼容性
    VBM18R07S/VBMB18R07S 可与标准TO-220AB封装兼容,方便替换现有设备中的传统MOSFET器件。
    厂商支持
    - 客户技术支持:提供专业的技术咨询服务。
    - 质保服务:针对产品质量问题,厂商承诺保修期内免费维修或更换。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 检查散热设计是否足够,增加散热片 |
    | 系统运行不稳定 | 调整栅极驱动电阻至最佳值 |
    | 寿命短 | 确保使用环境符合最大工作温度范围 |

    七、总结和推荐


    综合评估
    VBM18R07S/VBMB18R07S 的技术指标表明其在高频开关电源、功率因数校正及工业控制等领域具有明显的优势。其低损耗、高可靠性和宽工作温度范围使其成为电力电子应用的理想选择。
    推荐结论
    对于需要高效、稳定的功率转换设备的客户,强烈推荐使用 VBM18R07S/VBMB18R07S。其高性能和广泛应用的适配性将极大提升系统的性能和经济效益。

VBE18R07S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE18R07S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE18R07S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE18R07S VBE18R07S数据手册

VBE18R07S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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