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VBM15R08

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,500V,8A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-VBM15R08
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM15R08

VBM15R08概述

    VBM15R08 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBM15R08 是一款高性能的N-Channel MOSFET(场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))和简单的驱动要求。这款器件适用于多种电力转换应用,如开关电源、电机驱动和电池管理等。其核心特点是其出色的门极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性,适合高可靠性需求的应用场合。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS):500V
    - 导通电阻 (RDS(on)):VGS = 10V时为1.1Ω
    - 最大门极电荷 (Qg max.):49nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):13nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):20nC
    - 最高工作温度 (TJ):150°C
    - 最大脉冲电流 (IDM):37A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):290mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):9.2A
    - 重复雪崩能量 (EAR):17mJ
    - 最大功率耗散 (PD):170W
    - 雪崩电压 (VDS):500V
    - 最大门极-源极电压 (VGS):±20V
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS):VDS = 500V时≤25μA
    - 输入电容 (Ciss):1400pF
    - 输出电容 (Coss):180pF
    - 反向转移电容 (Crss):7.1pF

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷 (Qg):简化了驱动电路设计,降低了功耗。
    2. 高鲁棒性:增强的门极、雪崩和动态dV/dt耐受能力,提高了可靠性。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压、电流特性:确保了在不同工作条件下的稳定表现。
    4. 高温适应性:能够在高达150°C的环境下正常工作,适合恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:VBM15R08 可用于AC-DC转换器和DC-DC转换器中作为主开关管,以提高转换效率和稳定性。
    - 电机驱动:在电机控制应用中,利用其低导通电阻和高电流能力,可以实现更高效的能量转换和控制。
    - 电池管理系统:在电池充放电过程中,其高耐压能力和低漏电流有助于延长电池寿命和提高安全性。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,需要考虑寄生电感的影响,以避免过高的di/dt导致电压尖峰。
    - 确保电路布局中的接地平面和低漏电感路径,以减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VBM15R08 支持标准的 TO-220AB 封装,易于集成到现有系统中。
    - 支持和服务:供应商提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品选型、设计咨询和故障排查。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高频开关应用中,出现异常发热现象。
    - 解决方案:检查电路布局中的寄生电感,优化走线和接地设计,减少热效应。

    - 问题:在大电流工作条件下,出现短路现象。
    - 解决方案:确认负载匹配情况,避免电流过载。同时检查电路保护措施,如快速熔断器和过流保护电路。

    总结和推荐


    总体而言,VBM15R08 N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合高要求的电力转换和控制应用。其出色的低导通电阻和高耐压能力使其成为许多关键应用的理想选择。推荐在对效率和可靠性有严格要求的场合使用。

VBM15R08参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.4V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 8A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM15R08厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM15R08数据手册

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VBM15R08封装设计

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