处理中...

首页  >  产品百科  >  MMFTN123

MMFTN123

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,0.17A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.28Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-MMFTN123 SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MMFTN123

MMFTN123概述

    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本技术手册介绍了VBsemi公司生产的N-Channel 100-V (D-S) MOSFET,型号为MMFTN123-VB。这种MOSFET是专为电源管理和开关应用设计的,适用于需要低导通电阻(RDS(on))和高效率的场合。该产品广泛应用于计算机、通信设备、消费电子及工业控制等领域。

    技术参数


    以下是MMFTN123-VB的技术参数表:
    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 260 mA(TA = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 800 mA
    - 功率耗散 (PD): 0.37 W(TA = 25°C)
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 350 °C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 1 - 2.5 V
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ± 10 µA(VDS = 0 V, VGS = ± 20 V)
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1 µA(VDS = 100 V, VGS = 0 V)
    - 动态参数:
    - 开启时间 (td(on)): 20 ns
    - 关闭时间 (td(off)): 30 ns
    - 输入电容 (Ciss): 30 pF
    - 输出电容 (Coss): 7 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 2.0 pF

    产品特点和优势


    MMFTN123-VB具有以下显著特点和优势:
    - 低阈值电压:通常为2 V,有助于减少驱动电路的复杂性。
    - 低输入电容:仅25 pF,减少驱动电路的负载,提高开关速度。
    - 快速开关速度:典型值为25 ns,适合高频应用。
    - 低输入和输出泄漏:减少不必要的能量损失,提高效率。
    - 兼容RoHS标准:符合环保要求,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 计算机电源:作为电源管理的一部分,用于DC-DC转换器。
    - 通信设备:用于无线通信基站中的电源管理模块。
    - 消费电子:例如笔记本电脑的充电器中。
    使用建议:
    - 温度管理:尽管开关时间基本不受温度影响,但建议在高温环境下增加散热措施。
    - 驱动电路设计:考虑到低输入电容的特点,可以简化驱动电路的设计。
    - 注意最大额定值:确保在操作时不超过绝对最大额定值,以防止器件损坏。

    兼容性和支持


    MMFTN123-VB采用SOT-23封装,与标准SMT工艺兼容。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,可以通过服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何测试MOSFET的导通电阻?
    - 解决方案:使用万用表测量VGS为10V时的漏极电流(ID),并根据公式RDS(on) = VDS / ID计算导通电阻。
    问题2:如何避免过温问题?
    - 解决方案:使用适当的散热器和风扇来降低器件温度,确保在允许的工作温度范围内运行。

    总结和推荐


    总体评价:
    MMFTN123-VB是一款高性能的N-Channel 100-V MOSFET,具备低阈值电压、低输入电容和快速开关速度等特点。它适用于多种应用场景,尤其是在需要高效能、高可靠性的场合。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用领域,强烈推荐将MMFTN123-VB用于需要低RDS(on)和高效率的电源管理和开关应用中。

MMFTN123参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 370mW
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3VGS = 4.5 V,ID = 150 mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 260mA
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MMFTN123厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MMFTN123数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MMFTN123 MMFTN123数据手册

MMFTN123封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.1789
库存: 148
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 0.89
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504