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VBI1638

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,8A,RDS(ON),30mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89
供应商型号: 14M-VBI1638 SOT89
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBI1638

VBI1638概述

    文章标题:VBI1638 N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    VBI1638 是一款高性能的 N-Channel 60-V(漏源电压)MOSFET,采用 SOT89 封装形式。它基于 TrenchFET® 技术设计,具有优异的导通电阻特性及高可靠性。该产品广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统以及通信设备等领域,适合需要高效能功率转换的应用场景。此外,VBI1638 符合无卤素标准(IEC 61249-2-21 定义),并通过 RoHS 认证,符合环保要求。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 (VDS) | 60 V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 V |
    | 最大连续漏极电流 (ID) | TA=25°C: 8.0 A
    TA=70°C: 7.0 A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A |
    | 导通阻抗 (RDS(on)) | VGS=10V, ID=6.0A: 0.030Ω |
    | 最高工作温度 (TJ) | 175°C |
    | 最大功耗 (PD) | TA=25°C: 3.3 W
    TA=70°C: 2.3 W |
    | 热阻 (RthJA) | 36°C/W |
    其他关键参数还包括高耐压、低栅极电荷、快速开关速度等特性,具体细节可参考典型特性曲线图。

    3. 产品特点和优势


    - 高效能设计:通过 TrenchFET® 技术实现极低的导通电阻 (RDS(on)) 和优秀的开关性能。
    - 高温运行能力:最高结温可达 175°C,适用于恶劣工作环境。
    - 环保合规:无卤素、RoHS 认证,满足全球绿色电子产品需求。
    - 可靠性保障:提供超过绝对最大额定值的技术保护,避免长期过载损伤。
    在实际应用中,这些特点显著提升了系统效率并降低了整体成本,使其在市场上具备较强竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    VBI1638 广泛应用于高频开关电源(如 DC-DC 转换器)、LED 驱动电路、电机控制模块等场景。以下是典型应用场景和建议:
    - 高频开关电源:由于其低导通电阻和快速开关时间,非常适合用于高频应用,提高电源效率。
    - 电机驱动:利用其强大的电流承载能力和耐高温特性,在电机启动和运行阶段提供可靠保护。
    - 电池管理系统:适合于电池充放电管理模块,确保高效且安全的能量传输。
    建议用户根据具体应用场景选择合适的 PCB 布局,并注意散热设计以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    VBI1638 支持主流 PCB 设计标准,可通过标准焊接工艺进行安装。产品与多种控制器芯片兼容,特别适用于 VBsemi 自家控制器产品组合。公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、样品申请和技术支持热线(400-655-8788),助力客户快速完成设计集成。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 优化 PCB 布局,增加散热片 |
    | 栅极驱动电压不足 | 检查驱动电路设计,调整驱动电平 |
    | 长期工作稳定性较差 | 使用热管理系统或降低负载电流 |

    7. 总结和推荐


    VBI1638 N-Channel 60-V MOSFET 是一款兼具高性能和环保特性的电子元器件,适用于多种工业和消费电子领域。其卓越的导通电阻、高结温耐受性和广泛的温度适应范围使其成为设计师的理想选择。此外,完备的技术支持和服务体系进一步增强了产品的实用性和可靠性。
    推荐指数:★★★★★(高度推荐)
    总结来说,VBI1638 在高效能功率转换领域表现优异,值得推荐给需要高性能电子元器件的开发者和制造商。

VBI1638参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,36mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 8A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-89
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBI1638厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBI1638数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBI1638 VBI1638数据手册

VBI1638封装设计

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