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VBM16R08

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: 14M-VBM16R08 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM16R08

VBM16R08概述

    #

    产品简介


    VBM16R08 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源系统(UPS)及高速电力转换等领域。该 MOSFET 具备低门极电荷(Qg)和高动态 dV/dt 抗震性能,确保了简单驱动需求和高度可靠性。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 600V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 2.0V ~ 4.0V
    - 门源漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 零门电压漏电流 (IDSS): 25μA @ 600V,250μA @ 480V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.780Ω @ 10V
    动态参数
    - 总栅极电荷 (Qg): 49nC
    - 门栅电荷 (Qgs): 13nC
    - 门漏电荷 (Qgd): 20nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 13ns
    - 上升时间 (tr): 25ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 30ns
    - 下降时间 (tf): 22ns
    - 门输入电阻 (Rg): 0.5Ω ~ 3.2Ω @ 1MHz
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 600V
    - 门源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (ID): 8.0A @ 25°C,5.8A @ 100°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 290mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 170W @ 25°C
    热阻率
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 62°C/W
    - 案至散热片热阻 (RthCS): 0.50°C/W

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:Qg 值为 49nC,显著降低了驱动要求。
    2. 增强型栅极、雪崩及动态 dV/dt 耐久性:确保设备在高压快速变化环境下具有高可靠性。
    3. 全面表征的电容及雪崩电压电流特性:增强了应用的稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在开关电源(SMPS)中作为主开关管。
    - 用于不间断电源(UPS)系统的关键部件。
    - 在高效率电力转换中实现快速开关。
    使用建议
    - 鉴于其大电流处理能力,建议在高频应用中注意散热管理,确保最佳性能。
    - 在电路设计时需考虑低杂散电感和良好的接地平面设计,以减少杂散电感的影响。

    兼容性和支持


    - 与多种电源管理和控制电路兼容,适用于广泛的电子产品。
    - 厂商提供技术支持和售后服务,包括详细的技术文档和在线帮助资源。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保最佳的散热效果?
    - 答:建议使用高效散热器,并结合有效的散热策略,如增加散热片面积或采用风扇辅助冷却。
    2. 问:在高温环境下使用是否会降低性能?
    - 答:不会显著影响性能,但请参考绝对最大额定值部分,避免长时间工作在极端温度下。
    3. 问:在选择其他元件时需要注意什么?
    - 答:选择与 VBM16R08 兼容的驱动器和其他元器件,确保整体系统的可靠性和稳定性。

    总结和推荐


    综上所述,VBM16R08 MOSFET 在多种高要求的应用中表现出色,凭借其优异的静态和动态性能,以及高可靠性,使得它成为电源管理和高效率转换领域的理想选择。无论是追求紧凑设计还是高性能输出,VBM16R08 都能满足需求。强烈推荐在各种开关电源和电力转换系统中使用。

VBM16R08参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM16R08厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM16R08数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM16R08 VBM16R08数据手册

VBM16R08封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.5025
10+ ¥ 4.2376
30+ ¥ 3.7821
100+ ¥ 2.8339
1000+ ¥ 2.728
3000+ ¥ 2.6485
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