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VBE1106N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,25A,RDS(ON),55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-VBE1106N
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE1106N

VBE1106N概述

    # VBE1106N N-Channel 100V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本描述
    VBE1106N 是一款由VBsemi公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,额定电压为100V(漏极-源极)。它采用先进的TrenchFET®技术,能够提供低导通电阻和高电流承载能力,广泛应用于开关电源、直流电机驱动、功率放大器及高频逆变器等领域。
    主要功能
    - 漏极-源极电压(VDS):100V
    - 连续漏极电流(TC=25°C时):25A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):75A
    - 二极管反向恢复时间(trr):50-75ns

    2. 技术参数


    以下是VBE1106N的主要技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 100 V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) 0.055 Ω |
    | 持续漏极电流 | ID 25 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 75 | A |
    | 漏极-源极二极管电流 | IS 50 | A |
    | 最大功率耗散 | PD 83 W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 +175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    VBE1106N具有以下显著特点:
    - 高效率:采用TrenchFET®技术,降低导通损耗,提高系统整体效率。
    - 高可靠性:100% UIS测试确保产品质量稳定可靠。
    - 低导通电阻:典型值仅为0.055Ω,适用于高电流密度的应用场景。
    - 快速开关速度:较低的栅极电容和优秀的动态特性使其适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:作为主开关管使用,提升电源转换效率。
    - 电机驱动:用于控制直流无刷电机,提供平滑稳定的电流输出。
    - 功率放大器:高效能地放大音频信号,减少失真。
    使用建议
    - 在设计电路时,应根据负载需求合理选择MOSFET的工作点,避免过载运行导致器件损坏。
    - 配合散热片使用可以有效延长使用寿命,特别是在高功耗环境下。
    - 确保良好的PCB布局,缩短引脚长度以减小寄生电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    VBE1106N与市面上大多数标准焊盘尺寸兼容,易于安装焊接。此外,VBsemi提供了详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户解决实际应用中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查栅极驱动电压是否达到要求 |
    | 热管理不佳 | 添加散热片并优化PCB布局 |
    | 开关频率异常 | 调整驱动电路参数 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,VBE1106N是一款性能优异的N沟道MOSFET,尤其适合需要高效能、高可靠性的应用场合。其出色的导通特性和快速响应能力使其成为许多电力电子领域的理想选择。如果您正在寻找一款兼具成本效益和高性能的MOSFET产品,那么VBE1106N无疑是一个值得推荐的产品。建议在正式项目中考虑该器件,同时注意结合具体应用场景调整设计细节。

VBE1106N参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@10V,57mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.4V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 25A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE1106N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE1106N数据手册

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